从年亏百亿到单季暴赚248亿，长鑫科技的狂飙与隐忧

作者丨青风

编辑丨六子

中国半导体市场迎来历史性时刻，国产存储“双雄”同步冲刺A股。

5月17日，长鑫科技更新科创板招股说明书，披露了一组堪称“炸裂”的财务数据。仅仅两天后，5月19日，长江存储发布首次公开发行股票并上市辅导备案报告。

两家企业，一个主攻DRAM内存，一个深耕NAND闪存，共同构成了中国存储芯片的两大战略支柱。而长鑫科技招股书所披露的业绩，更足以让整个半导体赛道为之震动。

2026年一季度，长鑫科技实现营收508亿元，同比暴增719%；归母净利润247.62亿元，同比飙升1688%。公司预计，上半年归母净利润将达到500亿至570亿元。

*图源长鑫科技招股书

这是什么概念？以单季度归母净利润论，长鑫科技在A股已上市的5000余家公司中可排第13位，高于中国人寿和中国石化，甚至将宁德时代同期207.4亿元的净利润甩在身后。半年预计赚出500多亿，不仅一把填平了过去累计超过300亿元的亏损窟窿，还富余出巨大空间。

*图源东方财富Choice数据

业绩炸裂、IPO重启、万亿市值预期——资本市场迅速进入狂欢模式。有机构人士按照2026年全年归母净利润1500亿至2000亿元、20倍市盈率测算，长鑫科技上市后市值至少在3万亿元以上，甚至有人喊出4万亿元。

但狂欢之下，有一个问题鲜有人追问：长鑫科技吃到的，是存储周期超级风口的红利，还是已牢牢握在手中的技术制高点？

01「从亏损深渊，到印钞机器」

长鑫科技的业绩曲线之陡峭，在整个科技行业都属罕见。

2025年12月，长鑫科技首次提交科创板IPO申请。彼时的申报稿，对公司2026年全年业绩的预判极为保守：全年营收550亿至580亿元，归母净利润20亿至35亿元。

仅仅五个月后，2026年一季度的实际数据就将这份预测碾得粉碎。508亿元的单季营收，几乎触及彼时全年预测的下限；247.62亿元的归母净利润，是彼时全年预测上限的7倍有余。

两版招股书，画出了两个截然不同的天地。

回看过去三年，这是一家被亏损长期压制的企业。招股书数据显示，2022年至2024年，长鑫科技归母净利润分别亏损83.28亿元、163.4亿元和71.45亿元，三年累计净亏损超过300亿元。截至2025年底，公司累计亏损高达366.5亿元。2025年上半年，公司仍在亏损40.8亿元，是不折不扣的“烧钱大户”。

转折点出现在2025年下半年。随着DRAM价格自2025年第三季度起持续快速上行，长鑫科技终结多年亏损，全年扭亏为盈，归母净利润转为18.75亿元。进入2026年，行业景气度的加速兑现让这家公司的盈利能力如火箭般蹿升。

不容否认的是，长鑫科技业绩拐点的到来，很大程度上得益于新一轮存储芯片超级周期。这场周期的强度，创下了过去15年来的历史峰值。

统计数据显示，全球DRAM内存自去年夏天起持续疯涨，DDR5价格累计涨幅高达414%。Counterpoint Research数据则显示，2025年一季度至2026年一季度，1GB消费级DDR4平均合约价从1.8美元飙升至11.4美元，一年涨幅超6倍。

*图源DDR5价格曲线

本轮超级周期的特殊之处在于，供给端的收缩并非被动短缺，而是头部厂商的主动战略倾斜。随着AI算力爆发，三星、SK海力士、美光三大巨头纷纷将先进产能转向利润更高的HBM（高带宽内存）赛道，大幅压缩了常规DRAM产能，这就为长鑫科技腾出了巨大的市场空间。

然而，如果仅将长鑫科技的爆发归结为“运气好”，那就低估了这家公司的战略定力。

在行业最寒冷的2023至2025年间，长鑫科技并未缩减研发投入，反而持续加码技术攻关：累计研发投入超过188亿元。在技术路线上，长鑫科技采取“跳代研发”策略，已完成从第一代到第四代工艺平台的量产迭代。其最新的DDR5产品速率达到8000Mbps，单颗最大容量24Gb，LPDDR5X最高速率10667Mbps，较上一代提升66%，产品性能已逼近国际先进水平。

还有一个常被忽视的关键决策——在美国升级半导体出口管制之前，长鑫科技已前瞻性地完成一轮核心装备集中采购。当超级周期骤然降临、其他晶圆厂因设备受限而扩产受阻时，长鑫科技在北京、合肥的三座12英寸晶圆厂仍在稳步爬坡，产能利用率从2024年的约85%升至2026年一季度接近95%的高位。

从上可以看出，长鑫科技业绩的爆发式增长，是多重利好因素共振的结果——AI算力需求引发的结构性供需失衡是外部风口，高强度研发投入积累的技术底蕴是内在引擎，而前瞻性的产能布局则确保了公司有能力承接这场“及时雨”。

这不是躺赢，而是一场蓄谋已久的爆发遇上了恰到好处的东风。

02「从三巨头身上撕开一道口子」

Omdia的数据描摹了一条令业界瞩目的份额增长曲线：2025年二季度，长鑫科技的全球DRAM市场份额还是3.97%；到四季度，已经升至7.67%。半年时间，翻了近一倍。

目前，长鑫科技已位居全球第四大DRAM厂商，在中国市场排名第一。三星电子、SK海力士和美光科技三大巨头，仍占据全球市场超过90%的份额。长鑫科技，正是从这堵看似牢不可破的“铁幕”上撕开了一道口子。

*图源Omdia

终端客户阵容也堪称豪华：阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、OPPO、vivo。长鑫科技的DRAM芯片已经进入了中国最主流的云计算和消费电子厂商的供应链。从收入结构看，2025年以手机、平板等为主的LPDDR系列收入达407.04亿元，占总营收的66.43%；以电脑、服务器等为主的DDR系列收入为195.31亿元，占比31.87%。

产能端，TrendForce数据显示，长鑫科技2025年底月产能已接近30万片，同比增长近50%。此次IPO拟募集资金295亿元，位列科创板历史第二大募资项目（仅次于中芯国际），将分别投向存储器晶圆制造产线升级、DRAM技术升级以及前瞻技术研发。

从行业趋势来看，长鑫科技的份额增长仍有较大空间。Omdia预测，全球DRAM市场规模将从2025年的1505亿美元增长到2030年的5710亿美元，年均复合增长率超过30%；随着公司产能的持续扩张与技术的不断升级，其全球市占率有望进一步提升。

长鑫科技的份额突围，不是简单的国产替代，而是中国存储芯片从无到有、从弱到强的标志性突破，它打破的不仅是海外巨头的垄断，更是中国半导体产业的“卡脖子”困局。

资本市场对长鑫科技的未来充满期待。目前，已有机构给出乐观估值：按照2026年归母净利润1500-2000亿元、20倍市盈率测算，长鑫科技市值至少在3万亿元以上，部分机构甚至给出4万亿元以上的估值。

作为合肥集成电路“链主”企业，长鑫科技的崛起，离不开合肥国资与国家大基金的鼎力支持。据天眼查，合肥清辉集电、合肥长鑫集成、国家大基金二期、合肥集鑫、安徽省投资集团为公司前五大股东，其中合肥国资系合计持股超33%，是公司的核心股东。

合肥国资以“耐心资本”姿态，陪伴长鑫科技穿越十年周期，累计投入超百亿元，帮助企业度过长期亏损的“烧钱期”。据业内人士测算，若长鑫科技IPO后市值达到3万亿元以上，合肥国资系的投资收益将突破1万亿元，接近合肥2025年全年GDP，成为国资投资半导体产业的典范。

03AI时代的“关键缺位”

然而，当长鑫科技在常规DRAM市场狂飙突进时，一个不容回避的事实摆在面前：长鑫科技吃到的，是别人主动让出的蛋糕，而不是从别人嘴里抢下的肉。

三大巨头之所以愿意“让出”部分通用DRAM市场，并非竞争失利，而是主动的战略选择——它们把最先进的产能集中投向了利润更丰厚的HBM——一种专为AI服务器GPU设计的堆叠式内存，直接贴在GPU芯片旁边，负责高速传输海量数据，堪称AI时代“皇冠上的明珠”。

与常规DRAM相比，HBM的技术壁垒与利润空间不可同日而语：其制造工艺需要3D堆叠、TSV硅通孔等核心技术，良率要求超过99%，工艺难度是普通DRAM的3倍；单价是普通DRAM的7倍以上，毛利率超过70%，是当前存储行业最赚钱的业务板块。

SK海力士HBM业务利润率高达72%，甚至超过英伟达、AMD等AI芯片巨头。

随着AI算力需求的爆发式增长，HBM市场规模呈指数级扩张。数据显示，2025年HBM市场规模约150亿美元，预计2030年将达到1000亿美元，年复合增长率超40%，是存储行业增长最快的细分赛道。

而这一赛道，目前已被三星、SK海力士、美光三大巨头牢牢垄断，形成了“三分天下”的格局，其中SK海力士是绝对龙头，独家供应英伟达HBM3E，垄断高端AI服务器市场；三星量产HBM4，锁定AMD订单。

*图源瑞银

与通用DRAM市场的风光无限形成鲜明对比，长鑫科技在HBM赛道完全缺位。

其招股书显示，公司核心产品仍集中在DDR5、LPDDR5/5X等常规DRAM领域，尚未将HBM纳入核心研发与量产计划，更谈不上市场份额。

尽管公司在招股书中提及“将逐步布局HBM等高端存储产品”，但从技术进展来看，长鑫科技目前仍处于HBM2的研发阶段，而海外巨头已量产HBM3E、HBM4，技术代差至少在2-3代。

尽管公司宣称已启动12层堆叠HBM研发，但业内消息显示，其HBM3解决方案研发进度不及预期，尚未接到任何量产订单，生产良率低于韩国竞争对手，关键原料储备不足，不具备大规模量产条件。

从行业竞争来看，三大巨头在HBM赛道的投入持续加码：SK海力士龙仁新厂2027年完工，三星平泽第五厂2028年投产，美光新加坡产线同步扩产，技术壁垒与产能壁垒持续抬升，长鑫科技的追赶难度将持续加大。

04「写在最后」

长鑫科技的狂飙，是中国半导体产业在特定周期下的阶段性胜利。从亏损百亿到单季暴赚248亿，从全球边缘玩家到第四大DRAM厂商，长鑫科技用十年时间打破韩美垄断，实现国产DRAM从0到1的突破，其技术沉淀、产能布局、国资支持模式，为中国半导体产业提供了宝贵经验。

但周期红利终有尽头，技术壁垒才是长期护城河。当前存储超级周期已进入中后期，通用DRAM价格高位震荡，回调风险加剧；而HBM作为AI时代的核心赛道，技术壁垒与市场份额已被三大巨头牢牢掌控，长鑫科技面临“周期红利见顶、高端赛道缺位”的双重隐忧。

牌局才刚刚开始，真正的硬仗还在后面。