北京
长江和长鑫的上市给存储产业带来新选择，生态重塑。更多的国产主控芯片和模组厂上市，存储生态空前繁荣。
据市场研究机构Counterpoint Research最新报告，长江存储已成为全球NAND市场增长最快的厂商。韩国业内人士认为，其技术和产能的快速扩张正直接威胁三星、SK海力士的市场地位。长江存储全球NAND闪存市占率已从2025年同期的8%跃升至13%。韩国三星、SK海力士等大厂已正式发出警告，称中国存储厂商的追赶速度超出预期。
- 现状：长江存储（NAND）：自研Xtacking架构实现232层/294层3D NAND量产，位密度和堆叠层数达到国际领先水平，部分性能已超越国际一线，成功切入国内终端及国际大厂供应链。
据韩媒报道，中国存储芯片制造商长鑫存储已在HBM3技术上追平三星和SK海力士，中韩两国在HBM领域的差距从此前的多代落后缩至仅3年。报道称，长鑫存储自主研发HBM3高带宽内存样品已经成功完成国内第一梯队云厂商首轮适配工作，根据规划，长鑫HBM3将在2026年年底进行小规模试生产，在2027年大规模投产。伴随着国内HBM产能逐步释放，将极大改善我国AI算力基础设施供应情况。
- 现状：长鑫存储（DRAM）：17nm DDR5实现规模量产，良率突破90%，性能基本追平国际主流，LPDDR5X打入高端手机供应链，HBM3样品已交付，但整体在HBM、超高层堆叠等尖端领域仍落后国际巨头2-3年。
尽管情况向好的方向，但压力还在重的方向。
对外美国限制HBM2E及以上产品对华出口三大供应商（三星、SK海力士、美光）自身供给紧张，违规销售的意愿降低；部分HBM仍通过第三国中间商、部分组装系统等灰色渠道流入中国但规模有限，且在持续收紧。
阿里、字节、腾讯等国内云厂商资本开支激增，华为、寒武纪等国产AI芯片对HBM需求快速增长。供给受限+需求爆发，中国HBM供应紧张局面可能持续至少18个月。
出口管制下的国产化设备生态局部违建。光刻机和离子注入设备是当前国产化的最大瓶颈，先进制程设备、高端材料等核心环节仍高度依赖进口，尽管咱们在刻蚀、沉积、CMP等领域，国内供应商已取得显著进展。
工艺环节
国内供应商
进展
刻蚀
中微公司、屹唐半导体
中微已覆盖DRAM 94%的CCP刻蚀应用、98%的ICP刻蚀应用
沉积
拓荆科技、北方华创
覆盖ALD/CVD/PVD，周星工程（韩国）也参与供应
光刻
上海微电子
DUV设备仍落后于ASML
离子注入
中国电科、凯世通、北方华创
进展缓慢，与海外差距仍大
铜电镀
盛美上海
部分覆盖ECP工序
CMP
华海清科
已进入长鑫供应商体系
检测/测试
星微电子、精测电子
海外供应商仍占主导
于是乎，2026年存储技术创新和应用论坛将于2026年9月4-6日在广州举办，以AI时代的存储技术与生态变革(智算一体化，存储生态重塑)为主题，聚焦HBM、先进封装等给存储带来技术革新，并面向更多存储应用。拟邀出席单位来自：
- 存储芯片原厂、存储核心设备代表、存储主控芯片、存储模组厂、存储智能化软件公司、存储解决方案商以及存储应用主要代表。同时诚邀存储商业上下游同仁参会交流。
长鑫存储和长江存储正加速扩产，长鑫存储月产能向30万片迈进，长江存储武汉三期预计2026年底投产，产能集中释放，以承接国产替代增量。NAND 长期缺货、DRAM 全线涨价，国产存储切入国际供应链。
从中国出口情况看，今年一季度，我国存储器产品出口459.9亿美元，同比增长达174.2%。有业内人士表示，与2025年3月相比，存储器价格已经涨了近十倍，甚至还有一些是十几倍的增长。
两大原厂的产能扩张，是不是带来更多挣钱的机会？
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