IC-SRDI2026：李宁成杯：在低温低热阻低成本中集成钻石

近日，英特尔CEO宣称已完成新材料投资布局，包括：EMIB、玻璃基板、以及氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、磷化铟（InP）和人工合成钻石等新材料领域，以应对传统工艺节点微缩趋近物理极限的挑战。

2.5D芯片组封装正成为高性能AI系统的关键，但封装密度和功率密度的上升正在形成新的热墙。热点热通量可达到千瓦/平方厘米水平，而高热通量还会加剧小芯片变形，威胁机械可靠性。

钻石为其超高导热率（高达2200 W/m·K）和强有力的机械刚性提供了前景。但融合依然困难重重。传统的金刚石集成通常需要高于700°C的高温工艺，这与标准半导体制造不兼容，且可能引发严重的CTE错配应力。

低温粘结方法如表面激活键合、金属互层、纳米银烧结和共晶结合正在被探索，但每种方法在热边界阻力、机械稳定性、表面粗糙耐受性和可扩展性之间仍面临权衡。

关键挑战很明确：我们如何在低温、低热阻、高可靠性和可制造成本的先进封装中集成钻石？对于AI封装来说，热管理不再只是冷却问题。

正是在这一产业背景下，由IEEE Fellow、焊接材料领域国际权威李宁成博士亲自发起并永久冠名的“李宁成杯”先进焊接材料应用案例大赛，于2026年2月正式启动、7月5日正式截稿。

大赛以“工程师驱动产业创新”为主题，聚焦精密电子与半导体先进封装领域的真实焊接应用案例，鼓励DFM（可制造性设计）、FMEA（失效模式与影响分析）、缺陷分析（FA）、故障排除（Trouble Shooting）等工程实践。大赛优秀案例聚焦钻石材料——破解更多类似的材料和粘结技术上的问题。

低温工艺是最大瓶颈。传统MPCVD钻石生长温度通常高达700–1000°C。这远超后道工艺（BEOL）、玻璃基板和有机材料的承受能力，极易造成翘曲、金属迁移甚至器件损伤。目前最现实的突破方向是低温键合技术，而非单纯追求低温生长。

2024年已有研究团队实现200°C晶圆级键合，将多晶钻石与硅或玻璃基板可靠连接。键合后的热边界阻（TBR）低至约9.74 m²K/GW，远优于传统焊料或烧结工艺。同时通过了1000次热循环和湿热测试，显示出良好的可靠性。

界面热阻决定了实际效果。即使钻石本体热导率极高，如果与芯片或基板的界面热阻过大，热量依然无法有效导出。先进封装要求从热点到最终散热路径的总热阻极低，因此界面工程成为关键。

目前主流方案包括反应性金属纳米层键合和表面活化键合。这些方法能在较低温度下形成致密、稳定的界面层，大幅降低热边界阻。中国团队已成功将多晶钻石低温键合到2.5D玻璃转接板背面，在热点功率密度约2 W/mm²的条件下，将芯片结温降低24.1°C，封装整体热阻降低28.5%。

可靠性与CTE失配问题也有。钻石的热膨胀系数仅约1.0–1.2 ppm/K，与硅（2.6 ppm/K）、铜（17 ppm/K）存在明显差异。在反复热循环和功率循环中，界面应力容易导致裂纹或脱层。因此，可靠性验证必须覆盖热循环、功率循环、HAST等严苛条件。

低温键合技术通过优化金属间层微观结构，已在实验中展现出优异的抗疲劳能力。这为后续量产提供了重要依据。

如何实际集成形态建议。目前最成熟、也最推荐的落地方式是背面钻石热扩散器。在玻璃转接板或有机基板背面低温键合多晶CVD钻石板，再通过高性能TIM与散热器连接。该方案与现有玻璃TGV产线兼容性高，改动较小。

其次是钻石盖板/热沉，适合高TDP的AI加速器模块，可快速导入现有封装流程。嵌入式或混合基板方案虽然潜力更大，但仍需解决钻石的图形化与通孔工艺，成熟度相对较低。

钻石材料成本较高是客观现实，但可通过几种方式控制系统级成本：优先采用多晶CVD钻石薄板而非单晶，厚度控制在合理范围即可发挥主要热扩散作用；与现有玻璃转接板或面板级封装产线协同，减少新增设备投入；钻石表面进行金属化处理（Ti/Pt/Au或铜镀层），实现低热阻键合与可焊性；从全生命周期成本看，钻石可显著降低结温、延长器件寿命、减少系统冷却硬件投入，长期经济性优势明显。

国内MPCVD设备和材料供应链已逐步成熟，为规模化提供了有力支撑。在玻璃TGV + 钻石热管理的混合架构下，电学互连与热学性能可同时得到优化。这将成为CoPoS及下一代高性能基板的重要发展方向。随着低温键合工艺进一步成熟，以及低温生长技术的突破，钻石集成有望在2027–2030年间进入量产验证阶段，尤其在高功率密度AI芯片和HPC模块中率先实现规模化应用。

关键成功要素包括：持续降低界面热边界阻、建立标准化低温键合与可靠性测试体系、推动面板级大面积钻石工艺，以及与玻璃和有机基板厂商形成紧密生态合作。

钻石正从“高端可选材料”转变为高功率先进封装热管理的核心使能技术。当前的技术突破已为产业化打开窗口，接下来需要产业链上下游协同发力，加速从实验室走向可靠、低成本的量产方案。

诚邀全国从事精密电子组装与半导体封装的工程师、团队、材料供应商、设计公司及高校研究者积极参与。无论您有HBM微凸点、FOWLP扇出、功率器件焊接、玻璃基板兼容性还是其他真实难题，都欢迎提交案例。让我们在李宁成博士的引领下，以工程师的智慧与匠心，共同书写中国先进焊接材料创新的的篇章！

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