SK海力士、美光、英伟达集体预警：存储芯片史上最大短缺要来了？

　　 短短一个月内，三家分别处在供应链上下游关键位置的公司 CEO，就同一件事给出高度一致的判断：存储芯片库存告急。

　　 7 月 10 日，韩国存储芯片厂商 SK 海力士（SK Hynix）在纳斯达克敲钟上市当天，公司首席执行官郭鲁正（Kwak Noh-jung）接受采访时，给出了措辞相当强硬的判断：全球存储芯片行业将在 2027 年迎来“史上最严重的供应短缺”，客户需求超过公司产能的局面将持续到 2030 年之后。

　　 一个月前，美光（Micron）首席执行官桑贾伊·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）在业绩电话会上说过几乎一样的话：“目前尚不清楚存储供应何时能追上持续攀升的需求”。几乎同期，英伟达（Nvidia）创始人黄仁勋也在公开场合表示，AI 存储的短缺将持续数年，SK 海力士仍将是英伟达最大的存储供应商。

　　 为应对这一局面，下游客户正在用行动投票。郭鲁正特别提到，客户正在密集签署长期供货合同，“因为他们相信短缺会持续更长时间”。

　　 不过，这场看起来共识度极高的紧缺预警，究竟是一次迫在眉睫的产业危机，还是一场服务于各方利益的精心叙事？

　　 先说结论：供给端确实存在难以在短期内消解的物理瓶颈，但三位 CEO 选择在此刻集体发声的时间节点，也恰好服务于各自的商业诉求。

　　 尤其需要注意的是，这轮紧缺中，需求侧的性质与以往任何一次存储周期都不一样：此前往往是脉冲式需求，但大模型训练与推理对存储带宽存在结构性依赖。

　　 不是不想扩，是扩不动

　　 在产业端，真正卡住整条链路的是HBM 的堆叠工艺，以及台积电（TSMC）的先进封装产能，这些都不是砸钱就能立刻解决的问题。

　　 HBM 是专门为高性能计算和 AI 加速器设计的一种存储芯片。对比来看，当前主流的电脑内存 DDR5是将DRAM 芯片平铺在电路板上，通过相对窄的数据通道跟 CPU 通信。HBM 则把多层 DRAM 芯片垂直堆叠，中间用硅通孔（TSV）连结，形成立体的存储块。

　　图 | HBM3（来源：SK Hynix）

　　 生产阶段，1GB 的 HBM 大约需要占用相当于 4GB DRAM 的晶圆面积；价格层面，HBM 相比目前主流电脑内存 DDR5 存在 5~6 倍的价格溢价。HBM 目前只占全球 DRAM 出货量的约 8%，却贡献了大约 30% 的 DRAM 营收。

　　 HBM 的堆叠工艺与传统 DRAM 迥异，需要专门的产线和设备，SK 海力士花了将近十年才把量产良率做到可接受的水平。

　　 堆叠之后，HBM 与相邻的 GPU/CPU 之间可以架起超一千条数据走线（DDR5 通常只有几十到一百多条），单位时间传输的数据量是 DDR5 的十几倍。这一高带宽特性缓解了大模型训练和推理中的“存储墙”问题，成为英伟达H100、H200、B200等AI 加速器的标配。

　　 但HBM的走线密度无法在传统印刷电路板（PCB）或基板上实现，也不能直接焊在主板上，必须借助台积电的 CoWoS等硅中介层，把 HBM 和计算芯片集成进一个 2.5D 封装体里。

　　 即便 HBM 的产能跟上了，封装端也不放行。预计到 2026 年底，台积电的 CoWoS 产能可扩产到 12 万至 14 万片，2026 年供需缺口预计从当前的约 20% 收窄至 10% 左右。即便如此，目前CoWoS 的交付周期依然拉长到50周以上，2纳米制程订单排到了2028年。

　　 摩根士丹利的报告指出，台积电2026 年的 CoWoS 产能已经 100% 被预订。产能限制已经蔓延到设备供应环节，砸钱建厂的常规解法都不奏效了。

　　 CEO喊缺的多重动机

　　 供给端瓶颈是真实的，但 CEO 们在此刻集体喊缺，也有各自明确的商业逻辑。

　　 郭鲁正此次发声，正值SK 海力士完成 265 亿美元美国存托凭证（ADR）发行、创下外资企业赴美首次发行规模纪录的当口。

　　（来源：Nasdaq）

　　 市场对存储芯片长期景气度的信心，直接影响着这次发行后 SK 海力士的估值稳定性。SK 海力士的股价在过去 12 个月已经上涨超 7 倍；公司2025 年营业利润达到创纪录的 47万亿韩元（约 310 亿美元），是 2024 年的两倍。飞速飙升的股价与利润轨迹背后，的确需要长期紧缺叙事作为支撑，才能抵御近期市场对 AI 投资周期见顶的担忧。

　　 美光的处境与SK 海力士类似。CEO桑贾伊在6月财报电话会上的表态，直接引导了投资者对后续季度业绩的预期。

　　 至于英伟达，黄仁勋当然希望市场对 AI 基础设施的投资周期继续保持乐观，毕竟其 AI 加速器的成本结构里，HBM 占比正在快速上升。

　　 供应预期越紧，HBM 厂商在与英伟达和超大规模数据中心运营商谈判时的话语权就越强。SK 海力士、三星、美光这三家 HBM 厂商的 2026 年产能据称已全部售罄。长期合同能对冲未来供过于求的风险，其锁定的不只是供应量，还有定价权。

　　 只是，供应紧张的事实与 CEO 夸大短缺程度的叙事之间，未必矛盾。这样的故事在其他领域也曾上演过。

　　 2021 年汽车芯片短缺期间，各家厂商发出了高度一致的紧缺预警，客户争相锁定长期供货协议，晶圆代工价格连续多个季度上涨。然而供需逆转的速度远超当时市场共识，到 2023 年上半年，多数汽车芯片品类已经从紧缺转为过剩，晶圆价格出现罕见的季度环比下调。

　　 为什么这次不会快速逆转

　　 如果我们据此得出“紧缺是真的，但持续时间可能被高估”的结论，也不够准确。2026 年这轮存储紧缺与 2021 年汽车芯片荒之间，还存在一个本质区别：需求侧的性质完全不同。

　　 2021 年汽车芯片的紧缺源于需求脉冲：汽车厂商在疫情初期砍单，消费需求快速反弹时，产能又被消费电子占据，形成阶段性错配。这种脉冲式需求在产能追上之后自然回落，行业周期从紧缺到过剩的翻转发生得很快。

　　 但AI 对 HBM 的需求不是脉冲。大模型训练和推理对存储带宽存在结构性依赖：模型参数规模每翻一倍，对 HBM 容量和带宽的需求都会相应提升。

　　 行业内，英伟达Rubin Ultra 等下一代 AI 加速器规划中，单 GPU 的 HBM 容量将推高至 1TB 级别；博通（Broadcom）为谷歌、Meta 等超大规模客户设计的定制 ASIC 同样在快速拉高 HBM 采购量；亚马逊则采取了直接采购 HBM 的策略。在可预见的未来，HBM 需求持续扩张的趋势并没有反转的迹象。

　　 （来源：Nvidia）

　　 需求性质的差异，决定 HBM 行业“ 缺了就扩、扩了就过剩”的周期节奏可能被拉长。瑞银（UBS）预计 ，全球 DRAM 行业至少到 2028 年第二季度才能重新回到供需平衡。

　　 短期锁定供应，长期看架构

　　 相关行业应作短期和长期的两手打算。

　　 短期层面，硬件采购成本的抬升几乎不可避免。数据中心的服务器采购预算、AI 训练集群的 HBM 配置、终端设备（手机、PC、汽车）的存储规格，都可能面临涨价或规格妥协。

　　 顺带一提，三星、SK 海力士等厂商在扩产 HBM 时，实际上是在把传统 DDR5产线的晶圆抽走，这正是 2025 年下半年以来消费级 DDR5 价格的根本原因。

　　 对于依赖 GPU算力的AI项目，提前锁定长期供货合同，尤其是与已有CoWoS产能配额的AI芯片供应商建立稳定关系，正在从“可选项”变成“必选项”。

　　 中长期层面，值得关注的是存储架构的替代路径。存内计算（CIM）和近存计算（PIM）都是与堆叠 HBM 并行的技术路线：把计算单元搬到存储阵列内部或紧邻存储的位置，从根本上减少数据在存储和计算单元之间的搬运，绕开存储带宽的限制。

　　 目前，SK 海力士和三星正在推动低功耗内存标准 LPDDR6-PIM 的产业化；清华大学、华为与字节跳动联合团队发布了基于28纳米工艺的混合存内计算芯片；国内首款存算一体的智驾芯片、后摩智能的鸿途 H30 已在2025 年实现量产；美国公司 d-Matrix 的数字存算AI 推理芯片也已开始出货。行业预测，2025 年全球存算一体芯片市场规模已经突破 120 亿美元，中国厂商占据约 30% 的份额。

　　 不过，存算一体和近存计算目前的落地场景主要集中在推理侧和边缘端，AI 训练环节对精度、通用性和带宽的综合要求，使HBM+GPU 的组合短期内还无法被新架构完全替代。

　　 对于希望降低对 HBM 依赖度的下游厂商，尤其是终端 AI 设备和垂直行业推理场景，现在开始评估在自身产品栈中引入相关方案的可行性，已经是理性选择。

　　 存储芯片行业的周期性从未消失。过去二十年，DRAM 经历过多轮紧缺-过剩循环，反转通常在两到三年内发生。但AI 带来的结构性需求是这一轮周期中的关键新变量，它有可能让这次紧缺持续得比历次都长。

　　 参考内容：

　　 https://www.reuters.com/world/asia-pacific/sk-hynix-ceo-sees-worst-ever-memory-supply-shortage-2027-says-demand-outstrip-2026-07-10/

　　 https://www.bloomberg.com/news/articles/2026-07-10/sk-hynix-chief-expects-memory-shortage-to-last-into-next-decade