硅基文明牛市新里程：海力士登陆纳斯达克，长鑫冲刺科创板

七月的存储芯片市场，正在上演一场东西方同框的历史性时刻。

美国东部时间7月10日上午，“HBM之王”SK海力士在纽约时代广场纳斯达克市场中心正式敲钟，成为首家在美国主板挂牌的韩国存储巨头。

钟声尚未散尽，太平洋彼岸的上海，另一场资本盛宴已箭在弦上——中国DRAM第一股长鑫科技将于7月16日启动科创板打新，市值预计突破2万亿元人民币，成为A股史上最大科技IPO之一。

一个在纳斯达克收割AI算力红利，一个在科创板宣告国产存储崛起。同一赛道，相隔一周，两声钟响——这场“梦幻联动”的偶然背后，藏着一个关于全球存储芯片格局正在深刻重构的必然逻辑。

海力士的故事，是HBM超级周期的封神叙事：凭借对高带宽内存技术的十年押注，海力士成为英伟达最核心的军火供应商，每一块H100、B200背后都有它的身影，单季净利润已逼近苹果平季水准。

而长鑫的故事，则是另一种逻辑——它不是因为技术领先赚到钱，而是因为对手集体“抽身离场”赚到钱。三星、海力士、美光将九成以上产能锁死在高利润HBM赛道，DDR4、DDR5、LPDDR5等通用DRAM出现结构性供给真空，长鑫作为全球唯一专注通用DRAM的规模厂商，坐收了一场典型的“别人打高端，我收低端溢价”的历史性窗口期红利。

不可否认的是，“硅基文明”的基石——最底层的硬件制造与算力架构，其作为绝对护城河的趋势越发不可动摇。这场AI牛市也仍在路上，未来Anthropic将挟实现AGI的Mythos等产品登陆纳斯达克，新血液的注入将持续推高板块估值上限，向全球资本证明：这场由硬体制造升级所驱动的牛市，远未到见顶之时，每一次的短暂调整，都是其积蓄力量、续创新高的跳板。

海力士从首尔到纽约

海力士是全球最大的内存半导体公司之一。公司专注于设计、制造和销售先进的存储半导体，包括DRAM（动态随机存取存储器）、NAND闪存以及用于AI的HBM。而HBM则是当前AI生态中最为短缺的硬件环节。

本次海力士的募资规模265亿美元，仅次于上月上市的SpaceX，为全球第二大IPO，上市当日股价大涨13%。

今年二季度的财报显示，海力士的单季度净利润高达40.35万亿韩元（约273亿美元），同比+398%，环比+165%。要知道，英伟达一季度的净利润也不过约190亿美元。一家卖全球最贵GPU的公司，单季净利反而不及海力士。

AI大模型和高性能计算（HPC）的爆发式增长，导致对高带宽、大容量内存的需求激增。根据Gartner数据，2025年至2027年，整体内存半导体市场预计将以86.0%的复合年增长率扩张，到2027年规模将接近7480亿美元。其中HBM增长尤为迅猛。

除了HBM，海力士的DRAM和NAND产品的平均销售价格也将大幅上涨。同时，行业正从以消费级需求为主，转向以企业级和数据中心需求为主导，这为高端内存产品（如HBM、企业级SSD）带来了持续的增长机会。

一张表格就可清晰地看出海力士极高的行业地位和行业竞争格局：

事实上，此前已经在韩国上市的海力士选择再度登陆纳斯达克，显然是希望借助当前有利的行业周期，并从中获益。从需求端来看，存储芯片仍然供不应求，我们已经看到这种供需紧张带来的影响，例如苹果提高了部分产品的售价。

但股价通常会领先于基本面，近期存储板块出现大幅回调，强劲的盈利反而导致海力士的估值收缩（即变得更便宜了）。亦有硅谷的投资人对笔者表示，估值倍数收缩事实上也可能是一个看空信号，因为对于周期股来说，往往是在行业周期见顶、盈利表现最好的时候，估值看起来反而最便宜。可见，海力士希望在周期最顶部在美国募集到尽可能多的钱。

在HBM高度紧缺背景下，公司的产能扩张决心也已经彰显，这也是此次海力士登陆美国融资的主要目的之一。公司正在韩国永仁（Yongin）建设超大规模的半导体集群，并在清州（Cheongju）和美国印第安纳州建设先进封装厂，确保了未来5～10年的产能供给。

此前，在美国上市的存储巨头就只有美光科技（Micron）和闪迪（SanDisk）。美光近期已经交出了一份无与伦比的2026财年Q3财报，堪称“满分成绩单”。它以一己之力打破了近期笼罩在美股上空的“AI科技泡沫见顶论”与“大盘崩溃论”——毛利率冲高至骇人听闻的84.9%，不仅证明了HBM等尖端AI存储硬件的绝对溢价权，更标志着存储板块已彻底摆脱历史上的周期性泥潭，转型为高壁垒、高毛利的绝对核心。

某华尔街投行的资深从业者也对笔者表示，这也印证了Mega Titans理论模型的核心论点：算力硬件与AI基础设施正在成为主导整个全球经济与美股大盘的最终驱动力。随着海力士在纳斯达克登陆，这两大全球存储巨头将在美国算力本土化的浪潮中形成合力，联手满足北美各大AI云厂商对新一代存储的极限需求，这将直接开启纳斯达克指数在算力硬核时代的新纪元。

杠杆危机和周期性之争

尽管以存储为首的AI硬件基本面异常强劲，但近期市场波动明显加剧。

韩国综合股价指数较6月的历史高点下跌了约20%，进入了技术上的熊市区间。其中，三星、海力士这两大存储巨头领跌——7月7日，三星二季度营业利润同比暴涨1810%，业绩大超预期，但市场直接“卖事实”，三星收盘跌近7%，海力士跌超6%，韩国KOSPI盘中触发熔断，恐慌情绪外溢至美股，美光、闪迪、西部数据盘前跌超5%；7月8日跌势延续，海力士跌幅进一步扩大至5%，三星电子跌超7%，为本轮调整最深时刻；近几日，市场有所反弹。

原因也在于，市场在积累了超高浮盈后，投资者获利了结的冲动加剧，同时杠杆的负面效应开始发酵——2倍杠杆韩国ETF近期大幅回撤，一个月前买入这一ETF的投资者，如今需要上涨150%才能仅仅回本。

｜两倍杠杆韩国ETF大跌。来源： LSEG Workspace

2倍杠杆的SK海力士ETF则被称为“杠杆之王”，该ETF已经成长为全球最大的单一个股杠杆ETF。当市场上最拥挤的交易之一，同时也是杠杆最高的交易之一时，波动性往往会自我强化。

｜2倍做多SK海力士ETF规模已远超2倍做多特斯拉TSLL、2倍做多英伟达NVDL。来源：高盛

除了杠杆风险，周期性之争则是根本性问题。存储行业向来是强周期性行业，只是如今强劲的AI相关需求将周期暂时熨平或延长了。目前价值百万美金的问题就在于——周期性何时回归？股价何时会提前反应？

AI服务器中存储价值占比高达40%，这是由于AI处理的token数量持续膨胀，DRAM容量需求随之翻了近四倍，价格也随着供不应求一路走高。同时，云厂商与存储厂商陆续签订长期供货协议（LTA），熨平了过去大起大落的周期波动。

至少在这两年，传统意义上的“存储周期”已经基本消失。

虽然扩产的产能最早也要到2029年才能落地，HBM的紧缺程度毋庸置疑，但摩根士丹利就提到了一个问题，存储价格同比涨幅从一季度的100%以上，大幅收窄至三季度的个位数至低两位数区间——这正是“变化速率见顶”的直观体现。

此外，市场上两周流传一则未经证实的消息：全球最大AI算力买家之一（Meta）有意出售富余计算资源。空头的解读显而易见——如果超大规模云厂商算力过剩，整个AI建设是否已供过于求？这也导致全球AI板块一度暴跌。

如今，机构仍维持对存储行业的长期看多立场，理由是2027年预期盈利增长35%～40%，以及AI智能体的大规模普及浪潮。但短期内，市场将高度聚焦科技巨头（超大规模云厂商，如微软、Meta、谷歌等）的资本开支计划，因为他们是存储等AI硬件的“买单方”，如果它们在二季度财报中上调资本开支，存储股将迎来极佳买入窗口；如果下调，过剩叙事将持续发酵。

“追赶者”长鑫登陆科创板

更值得一提的是，在海力士登陆纳斯达克不久后，长鑫科技将在7月16日启动打新，届时市值预计将超2万亿元。这似乎也是一种“梦幻联动”。

长鑫的盈利逻辑是坐收“HBM挤出红利”。这是典型的“别人打高端，我收低端溢价”的历史性窗口。具体而言，三星、海力士宣布逐步退出DDR4生产，部分型号在2025年一个月内涨价约50%，全年累计涨幅逼近800%。TrendForce就预测，2026年普通DRAM获利有望超越HBM3e，这也是历史上第一次出现这种反转。

尽管长鑫科技尚不掌握HBM的话语权，但财报依然炸裂，2025年毛利率同比跳升36个百分点，招股书直接说明原因是“DRAM产品销售单价在2025年下半年以来持续上涨”。

对于中国的“追赶者”长鑫而言，短期无疑可以吃“风口的钱”，HBM挤出效应还在持续；中期公司则将赚国产替代的钱，中国是全球最大DRAM消费市场，但长鑫当前全球份额仅7.67%，在国内的渗透率也远未饱和；但是就长期来看，长鑫的招股书就明确标记，先追通用DRAM，再攻HBM。

募资295亿元中，130亿用于DRAM技术升级，90亿用于前瞻技术研发——这是在为未来的HBM入局做产能和技术储备。

这一即将上市的巨无霸还引发了流动性挤压的担忧，但更多观点认为，优质巨无霸上市反而会积极推动散户的参与度，凭借旺盛的基本面和较大的流通盘吸引更多场外资金入市。

事实上，相关IPO也象征着中国的增长核心动力全面转向新兴产业，国内高技术产业工业增加值增速已经达到普通制造业的两倍。其中，AI智能制造、光通信、算力硬件、智能化设备等细分赛道利润增速爆发，同比普遍超过50%。

这一背景下，A股结构性行情极度割裂，宏观数据平淡、但科创赛道大涨，2026年科创50指数年内涨幅领跑全球，这种局面在下半年可能很难出现根本性逆转。

No.6986 原创首发文章｜作者 Irene Zhou

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注：部分素材由作者提供。

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