四川
AI算力需求引爆芯片市场，供需错配支撑价格持续上行，但行业增长暗藏资本开支隐忧。
2026年7月10日，半导体行业同步释放两大关键信号：Meta CEO扎克伯格否认算力过剩，瑞银同步发布7月《存储芯片月度报告》，给出存储产业长期景气判断。
两份重磅消息叠加韩国股市半导体板块大涨、国内存储企业业绩大幅回暖，多重利好形成完整逻辑闭环，彻底打消市场此前对存储产能过剩的顾虑。
7月存储芯片月度报告
瑞银通过完整供需模型测算得出结论，AI催生的HBM、服务器 DRAM、企业级NAND需求增速远超厂商扩产速度，结构性供应紧缺周期至少持续至 2028年年中。
市场规模刷新历史峰值
瑞银7月存储月报统计数据显示，全球存储芯片单月销售额突破746亿美元，环比涨幅31.7%，创下行业有史以来最高月度营收，增长力度远超过往复苏周期。
拆分两大核心存储品类，DRAM占据市场营收主体，单月销售额480亿美元，环比增长27.7%；NAND闪存增长弹性更为突出，月度营收258亿美元，环比大涨40.7%，两项细分数据同步刷新历史纪录。
二者增长分化根源在于AI产业链不同环节需求差异：DRAM为AI服务器提供基础算力支撑，NAND闪存作为SSD、数据中心存储核心载体，承接大模型训练、海量推理数据存储需求，算力基建扩张直接带动NAND订单持续放量。
行业全年营收预期同步上调，瑞银预测2026年全球存储行业总收入可达9920亿美元，2027年市场规模近乎翻倍，攀升至1.76万亿美元。
其中高带宽内存HBM是拉动行业增长的核心引擎，该产品专门适配英伟达AI GPU等算力加速器，2026年HBM需求同比提升90%至331亿Gb，2027年需求将再度增长77%，总量突破587亿Gb。HBM持续抢占常规DRAM产能，进一步加剧全品类存储供给紧张局面。
供需失衡支撑涨价周期
此前市场普遍预判三星、SK海力士、美光扩产会缓解芯片紧缺现状，瑞银通过供需增速对比推翻该预判，明确DRAM结构性供应缺口将延续至2028年第二季度。
从供需增速差值来看，机构测算2027年全球DRAM需求同比增长36.2%，供给增速仅19.3%，需求扩张速度接近供给两倍，厂商产能投放节奏无法匹配全球算力扩张节奏。
叠加全球云服务商集中签订长期供货协议（LTA），头部客户提前锁定产能，现货市场可流通货源持续收缩。
行情火热暗藏核心隐患
尽管存储产业中长期上行逻辑明确，但瑞银并未单方面看多，报告明确本轮超级周期最大风险不在供给端，而是下游需求的可持续性。
首要风险来自云厂商成本承受极限，存储芯片连续多季度大幅涨价，企业长期采购成本不断抬升，若AI算力投入产出不及预期，超大规模数据中心运营商会主动缩减资本开支，直接压缩存储芯片采购规模。
头部互联网算力企业已开始采取手段缓解硬件成本压力，Meta虽表态不存在算力过剩、计划对外出租算力，本质也是企业优化算力收益、对冲高额硬件采购成本的应对方式。
其次是板块估值与业绩匹配度存在偏差，海内外存储板块股价已提前透支长期景气预期，短期涨幅包含大量乐观情绪，若后续HBM、DDR涨价幅度不及机构预测，板块极易出现大幅回调。
落实到A股细分赛道，三条主线逻辑各有差异：存储原厂直接受益量价齐升，业绩兑现弹性最强；存储封测依托芯片出货量增长稳定获取代工订单；存储配套设备、材料受益晶圆厂持续扩产，具备中长期配置价值，但短期股价波动幅度更高。
结合盘面实操角度区分策略，持仓投资者可保留底仓，冲高时分批兑现短线盈利，避免盲目加仓追涨。空仓投资者不宜开盘直接入场，等待盘中回调至支撑位再择机布局。中长期投资者适合逢板块调整分批建仓，完整布局至2028年前的景气上行周期。
综合瑞银研报、海外科技巨头表态与全球资本市场表现，AI算力催生的存储芯片结构性紧缺已成确定性趋势，价格上行、行业扩容的主线行情具备两年以上支撑空间。但投资者需要客观看待周期波动，下游AI资本开支的变动，随时会改变行业供需预期，高景气赛道同步伴随高波动风险。
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