福建加速布局12英寸晶圆与第三代半导体，福州、厦门、泉州等地有哪些晶圆厂？

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近日，福建省人民政府印发《福建省 “十五五” 新兴产业和未来产业发展规划》，明确把集成电路产业作为全省重点新兴支柱产业加以培育，提出以厦门、泉州、福州、莆田为重点，完善芯片设计、特色工艺芯片制造、封装测试、零部件装备配套全链条能力，稳步扩大12英寸晶圆、功率半导体、模拟芯片制造产能，推动产业走规模化、特色化发展道路。

根据规划，福建将重点研发高性能AI系统级芯片（SoC）、自动驾驶芯片、工业控制芯片等产品，主动融入国家AI芯片整体布局。围绕算力、存储、显示、射频领域芯片市场需求，构建兼顾先进封测与传统封测的产业体系，同步提升封装基板、显影设备等关键配套供给水平，夯实集成电路产业发展根基。

提起国内半导体制造，不少目光聚焦长三角、珠三角。实际上，依托早年LED化合物半导体产业积淀，福建已经形成国内独有的硅基逻辑+存储+第三代半导体完整Fab集群，构建起厦门综合Fab高地、泉州存储+光芯片 Fab、福州射频特色代工的差异化布局。

晶圆制造厂(FabricationPlant)，简称Fab厂，是半导体产业链中负责集成电路(芯片)前道制造环节的核心载体。当前，SiC、GaN、DRAM、28nm逻辑多条产线相继落地，一批百亿级制造项目陆续投产扩产，东南沿海半导体产业高地轮廓日渐清晰。

福州：做强射频特色代工，补齐通信芯片制造短板

福州立足高新区、仓山园区，重点发展化合物射频与中小功率半导体制造。

福联集成6英寸 GaAs/GaN 射频晶圆代工产线已稳定量产，面向5G通信、WiFi、卫星通信芯片设计企业提供工艺平台。

总投资近10亿元的福顺半导体 IDM 晶圆产线正在扩建，打造集芯片设计、晶圆制造、封测于一体的功率半导体项目，一期预计2027年投产，助力福州打造本土功率半导体产业园。

厦门：全省晶圆制造核心集聚区，硅基与第三代半导体双向发力

厦门火炬、海沧两大片区汇集全省过半主力晶圆厂，同时布局12英寸硅基代工以及8/6英寸SiC/GaAs/GaN化合物产线，是闽南芯片制造的核心枢纽。

联芯集成电路是厦门12英寸成熟工艺代表企业，拥有40nm、28nm、22nm逻辑工艺平台，月产能达5万片，位列国内28nm良率第一梯队，主要面向消费电子MCU、CMOS图像传感器、物联网、车载逻辑芯片提供代工服务，自2016年起实现稳定量产。

在第三代半导体赛道，士兰明镓实现全面量产，兼容4英寸LED、6英寸 SiC/GaAs/GaN晶圆生产，产品广泛应用于快充电源、光伏逆变器、5G射频、显示背光等场景。总投资120亿元的士兰集宏半导体8英寸专用 SiC功率Fab已于2026年初通线爬坡，全部建成后总月产能可达6万片，将填补华南地区8英寸碳化硅大产能制造空白，聚焦车规级SiC MOSFET、新能源主驱功率芯片生产。

总投资200亿元的士兰集华12英寸模拟晶圆厂已经开工，为福建首个百亿级12英寸特色模拟产线，建成之后补齐厦门本土功率模拟芯片制造短板。

三安集成作为国内少数实现SiC、硅基GaN、射频GaAs全链条制造的IDM 企业，其6/8英寸化合物半导体产线已经实现量产，产品覆盖新能源车功率器件、通信射频功放、氮化镓快充芯片。

泉州：深耕存储与光芯片，走差异化突围之路

泉州以晋江存储产业园、南安化合物半导体片区为载体，手握国内三大 DRAM 存储基地之一，同时布局高端光通信磷化铟晶圆制造，避开通用逻辑芯片的同质化竞争。

福建晋华集成电路12英寸DRAM存储Fab，专攻利基型DDR4内存芯片，当前月产能4万片，2026年扩产至6万片，产品服务工业控制、网络设备、消费电子领域，助力打破海外存储寡头垄断，实现稳定量产运营。

三安光电泉州光芯片Fab，是全国少有的规模化6英寸InP磷化铟全链条制造基地，月产光芯片晶圆2500 片、外延片6000片，持续向8000片月产能扩产，生产200G‑800G高速光模块激光器芯片，为算力网络、数据中心提供核心元器件。

与此同时，南安化合物半导体产业园多条6英寸GaN功率产线加快厂房建设，进一步完善本地产业配套。

莆田：布局碳化硅新赛道，重大项目加快建设

莆田皇族芯片SiC晶圆项目总投资50亿元，建设6英寸碳化硅完整 Fab，覆盖衬底、外延、晶圆制造全流程，主攻车载、光伏功率器件，目前处于建设阶段。

从全省产业格局看，福州聚焦射频特色代工，完善省内通信芯片制造闭环；厦门是综合制造中心，统筹12英寸硅基成熟制程与第三代半导体，覆盖消费电子、汽车、新能源多赛道；泉州打造国产存储与高速光芯片高地，服务全国算力基础设施建设；凭借深厚的LED产业根基，福建SiC、GaN产能建设进度位居国内前列，形成硅基逻辑、存储、第三代半导体三线并行的晶圆制造体系，与粤东产业联动，共同支撑东南电子信息产业链国产化替代进程。

※本文统计范围为商用前端晶圆制造 Fab，衬底外延、封测、科研中试线、纯芯片设计企业未纳入统计；在建项目投产及爬坡进度以企业官方公告为准。

编辑 | 肖泽峻

审校 | 杨柳青

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