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SK海力士预计，当前的内存短缺局面可能会持续到2030年底，市场目前尚未出现明显的需求放缓迹象。SK海力士首席执行官郭鲁勋在公司位于美国印第安纳州的新封装工厂奠基仪式后表示，即使未来市场开始降温，也更可能表现为供应紧张状况逐步缓解，而不是像过去那样出现内存价格突然崩跌的情况。
该公司此前曾预计，面向普通市场的DRAM供应紧张将持续至2028年，此次最新表态意味着这一预期进一步延长。
郭鲁勋指出，内存产品已经逐渐摆脱单纯商品化零部件的属性。人工智能产业快速发展，推动客户转向定制化DRAM和高带宽内存（HBM）方案。这种需求结构使制造商更容易预测未来订单，也降低了过去因供应过剩而引发剧烈价格下跌的可能性。
印第安纳州新工厂本身不会增加晶圆产能，因为它主要负责封装和测试，并非晶圆制造工厂。相关晶圆仍将在韩国生产，随后运往美国进行HBM4E封装。该工厂预计将在2028年下半年启动洁净室运营，并计划于2029年第三季度开始量产。
对于消费者而言，这意味着DRAM和NAND闪存价格短期内不太可能明显回落。个人电脑、显卡和游戏主机所使用的内存成本，预计将在未来数年维持高位，甚至可能持续影响到下一个十年。
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