英诺赛科稳居第一，英飞凌升至第二！

近期，市场研究机构Yole Group发布了年度报告《Power GaN 2026》，对功率氮化镓（GaN）半导体产业的市场、生态、供应链和技术进行了全面分析。

2031年功率GaN市场将达35亿美元，电信与基础设施领域增速最快

报告指出，过去数年功率GaN主要在消费级快充充电器领域完成技术验证，但这一阶段即将落幕。GaN正在进入更广泛的多市场应用周期，AI数据中心、电动汽车、工业系统和可再生能源均成为重要需求驱动力。

Yole预计，2025年至2031年，全球功率GaN器件市场将以约35%的年复合增长率（CAGR）持续扩张，到2031年达到约35亿美元。作为参照，2025年全球功率GaN器件市场规模约为5.88亿美元，同比增长约63%，显示市场已经进入明显的加速增长阶段。

从具体细分应用市场来看，消费及移动电子仍是市场基本盘，受益于快充充电器与家电产品持续普及，该板块2031年预计达到17亿美元，占整体市场近50%。

但增长势头最为迅猛的，是汽车与基础设施两大领域：汽车领域（车载充电机、48V架构）将保持 57% 的年复合增长率；电信与基础设施（AI数据中心供电）将保持 45% 的年复合增长率，2031年市场规模将达7.5亿美元。

Yole Group化合物半导体技术与市场分析师Roy Dagher博士表示：“多年来，功率GaN几乎就等于口袋里的手机充电器。但如今局面已完全不同。AI基础设施正在为这项技术开启第二个、甚至规模更大的发展篇章，并且发展速度极快。”

报告还指出，人形机器人有望成为2030年之后又一大潜在增长引擎。人形机器人平台的执行器驱动与电池管理系统，都要求在严苛的重量与散热约束下实现高功率密度——这正是GaN高效率、小体积优势能够充分发挥的场景。但目前该领域出货量很小，但如果人形机器人在2030年代实现商业化规模化落地，将形成区别于消费电子、汽车、数据中心的全新需求池。

英诺赛科稳居第一，英飞凌升至第二

从2025年GaN市场竞争格局来看，根据Yole报告显示，中国氮化镓巨头英诺赛科（Innoscience）以31%的市场份额位居行业首位，并持续向汽车、数据中心市场拓展业务版图。

英飞凌（Infineon）以16%的市场份额升至第二，主要受益于数据中心与可再生能源项目上的斩获；Power Integrations以14%的市场份额位居第三。

作为对比，2024年，英诺赛科以30%的市场份额位居榜首；纳微半导体（Navitas） 以17%的市场份额位居第二；Power Integrations以15.2%的市场份额位居第三；EPC以13.5%的市场份额位居第四；英飞凌以11.2%的市场份额位居第五。

虽然Yole此次仅公布了2025年氮化镓市场前三名的市场份额，但是相关分析显示纳微半导体跌出前三，是因为该公司正逐步将战略重心从传统消费电子快充转向AI数据中心、汽车及能源等更高价值应用领域。

此外，安森美（onsemi） 也是最重要的新晋参与者：该公司2025年12月宣布与格芯（GlobalFoundries）合作，基于200毫米硅基氮化镓平台开发650V器件；同年12月，安森美又宣布与英诺赛科达成合作，探索采用其200mm GaN-on-Si晶圆制造能力，并计划于2026年上半年开始送样。

除了头部厂商之外，瑞萨电子、罗姆（ROHM）、德州仪器（TI）、意法半导体（STMicroelectronics）、安世半导体（Nexperia），以及GaNext、南芯半导体（Southchip）等国内厂商组成快速崛起的第二梯队。

GaN技术持续向高压延伸

目前电压等级正在从消费电子的100V/650V体系向更高电压延伸。过去GaN最大的市场是手机/PC快充这类低至中功率的100V/650V级器件。而现在随着AI基础设施建设的持续爆发，需求开始向：650V → 1200V → 1500V → 1700V甚至2200V推进。GaN产业正在从“低压高频快充器件”向“高压高功率电源器件”演进。

功率GaN市场目前的核心仍然是GaN-on-Si，因为它具有：200mm晶圆兼容性；成本优势；CMOS/硅工艺基础更适合规模化制造。但随着电压不断提升，器件的外延结构、缺陷控制、动态导通电阻、栅极可靠性、击穿电压、热管理、封装都会成为关键问题。

因此未来的竞争不只是“谁能做GaN”，而是谁能把GaN的耐压、可靠性、频率、导通损耗和制造成本同时做到可商业化。

GaN 外延技术、衬底技术以及封装技术也在持续升级。GaN-on-QST、GaN-on-GaN 等新型技术路线正在探索更高电压和更高性能应用。Yole此次报告的公开摘要也特别提到high-voltage GaN、bidirectional switches、integrated modules等技术方向。

制造格局趋于多元化

制造格局变迁是这份报告的核心结论之一。行业并未向某一家头部代工厂集中，反而呈现分散化发展态势：

台积电正准备逐步退出GaN代工服务，并将相关技术经验通过授权方式转移给世界先进（VIS）和格芯（GF）；

格芯（GlobalFoundries） 已获得台积电650V和80V GaN技术授权，并在美国推进相关工艺和产品开发；

世界先进（VIS） 与力积电（PSMC） 承接了不少从台积电转出的GaN制造需求；

三星（Samsung）、DB HiTek、SK Keyfoundry 也在韩国搭建GaN初期生产能力；

与此同时，英飞凌、瑞萨、安森美、意法半导体、罗姆、安世半导体等IDM厂商持续自建产能，大多通过收购方式推进垂直整合。

Yole Group半导体衬底与材料首席技术市场分析师邱柏顺（Poshun Chiu） 对此评论道：“台积电收缩GaN代工业务，外界本可能将其视作行业预警信号。但恰恰相反，这成为整个生态走向成熟最明确的标志之一。其他代工厂正在快速跟进，制造基地比以往更加分散。

编辑：芯智讯-浪客剑