小电容，大算力：微容科技解码高速光模块中的MLCC机遇

光互连的每一次跃升，都伴随着高速光模块的换代——从400G到800G再到1.6T。而在这条链路中，MLCC等被动器件看似微小，却是决定信号完整性与系统可靠性的关键一环。

9月10日，在由芯师爷与IICIE国际集成电路创新博览会联合主办的“智算之源：2026芯算力创新峰会暨第八届硬核芯颁奖盛典”上，广东微容电子科技股份有限公司（以下简称“微容科技”）首席技术专家谭斌带来题为《从400G到1.6T：AI算力浪潮下高速光模块演进与MLCC应用机遇》的主题演讲，从光模块中MLCC的应用图谱讲起，延伸至制造核心技术与市场供需变局，一颗“小米粒”背后的产业逻辑被完整展开。

微容科技首席技术专家谭斌

“我们虽然不做光模块，但我们做光模块里用的小小的陶瓷电容——在很多方面，它起到的作用其实很大。”谭斌开场便点明了自己的视角：不做光模块，而做光模块里“最熟悉的陌生器件”。

用量不大，位置关键：光模块中MLCC的三大应用

谭斌介绍，相较于PC、手机等电子设备，光模块中MLCC的数量与种类并不算多，但应用位置相当关键，主要集中在三处：PCB板上的电源线、PCB板上的信号线，以及TOSA/ROSA（光发射/接收组件）内部的电源线。

从具体规格看，光模块MLCC常用额定电压为4V/6.3V/10V，常用容值覆盖100nF/1μF/10μF/22μF/47μF，常用尺寸则从01005、0201、0402到0603。

谭斌汇总了多个经典800G与1.6T方案的BOM数据：用量最大的是最基础的0.1μF这颗料，以01005/0201小尺寸为主；10μF、22μF、47μF等高容MLCC则主要用于电源线滤波。总体而言，各家的方案在数量和规格上已“大同小异”。

空间紧、功耗高、温度高、速率高：高速光模块的四大考验

光模块的物理特性，决定了对MLCC的四重严苛要求。谭斌逐一拆解：空间紧——光模块PCB尺寸小、器件排布紧凑，除0603/0402外，0201、01005甚至008004的微型MLCC应用越来越多；功耗高——DSP、Driver、TIA、电源管理等电路功耗密度提升，需要更低ESR、更大纹波电流能力的MLCC来稳定电源电压；温度高——AI数据中心7×24小时高负载运行，光模块内部小环境温度居高不下，MLCC工作温度档位正从X5R向X6S甚至X7演进；速率高——为避免信号失真、降低误码率，需要超宽带、低插损的电容。

值得注意的是，谭斌透露，针对高容MLCC的纹波电流与自温升能力，微容科技早在前几年便自研了专门的纹波电流温升测试设备，对部分高端MLCC完成了系统性测试验证。

三大核心技术：比米粒小得多的器件，比想象复杂得多的工艺

MLCC有时比一粒米小得多，但其制造流程长达16道工序。谭斌重点介绍了微容科技的三大核心技术——

其一是超薄陶瓷介质层制造技术。微容科技目前可将流延介质层做到0.8～1微米，0805-100μF等高端产品正是依托0.8μm薄膜技术实现，粉料分散、流延均匀度与烧结后的颗粒一致性均有极高要求。

其二是内电极印制、剥离与超高层高精度堆叠技术。电容容量与堆叠层数直接相关，层叠精度误差不能超过0.05微米。以微容科技的1210-220μF产品为例，在约3.0mm×2.5mm、厚度2.5mm的体积内需堆叠1200层，累计误差一旦超过1微米便会导致产品偏离设计。

其三是“艺术般”的高温烧结工艺。“对陶瓷电容来说，烧结就像一门艺术。”谭斌形容道。MLCC并非单纯烧制陶瓷，而是陶瓷粉体与镍金属内电极的高温共烧，须精准控制25个温区的温度曲线、N2/H2还原气氛与氧分压，才能兼顾两种材料的热收缩、热膨胀与挥发特性，最终形成颗粒均匀的钛酸钡晶体结构。

产能与底气：向全球MLCC第一梯队进发

据谭斌介绍，微容科技专注MLCC，全面供应高容量、车规、高频、超微型、高压等高端系列，100μF-220μF高端品已深入市场，聚焦AI服务器与汽车领域。公司按半导体标准建设车间，关键工序达千级洁净、设备内百级洁净，并配备流延机、叠层机、辊道炉等全球先进设备与SAP、MES、SPC信息化系统。

产能布局上，微容科技2018年建厂，2023年完成六年计划，年产能超过5000亿片，目前月产能已达600亿片；二期智慧工厂已于2025年封顶、计划2026年5月投产，公司目前年产能达7000亿片，并稳步推进“新六年计划”，预计2030年产能目标超过12000亿片，迈入全球MLCC制造商第一梯队。

为什么电容涨这么厉害？缺货背后的三重原因

针对行业最关心的问题——“为什么电容涨这么厉害、这么缺货？”谭斌给出了三重原因。

一是原材料与辅材全面涨价。2026年以来，瓷粉价格上涨约10%，稀土涨幅高达200%，铜、镍分别上涨约40%和20%；辅材方面，作为流延载体的PET、PVB（石油产物）在地缘政治影响下供应风险加剧，价格持续上行。

二是AI服务器的快速迭代，让MLCC成为BOM增量中的第三大物料。谭斌举例，GPU功率密度提升推动MLCC小型化且用量更多：同样是100μF陶瓷电容，在GB300 NVL72中为0805封装，到了VR200 NVL72便变为0603封装——同等容值下，单颗MLCC单价翻倍；MLCC数量增加36%的同时，总成本增加182%。

三是产能重构的商业逻辑。谭斌算了一笔账：同样产能下，生产通用的0402-10μF可产出1亿颗、价值约100万元；而转产AI服务器紧缺的0603-100μF，产出900万颗便可创造约2000万元价值——商业价值激增20倍。这驱动村田、三星等头部厂家将主要产能转向AI服务器重点规格，中低规格产能转移至国产及台系厂家，最终造成通用中高容MLCC产能不足、订货周期拉长、价格上涨。

展望：算力增长10万倍，高容MLCC需求增长100倍

演讲最后，谭斌分享了一组机构预测：到2035年，全社会算力将增长10万倍。“这个数字看起来可能有点夸张，但反过来想，我们对于AI算力时代，现在才刚刚起步，很多应用都还没有涉及，所以增长10万倍，我觉得真的有可能。”

以此推算，每增加10TF算力，就需要增加一颗100μF电容——到2035年，高容MLCC需求或将增长100倍，电容的紧张仍将持续。谭斌同时坦言，届时钽电容、铝电容、硅电容等也可能分流部分需求，“整个电容市场不说100倍，增长10倍、20倍是非常有可能的，因为AI算力这个市场实在太大了。”

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