广东
长鑫科技宣布第五代DRAM技术平台实现量产。
作为国产内存龙头，长鑫科技9月20日在世界制造业大会上宣布重大突破，第五代DRAM技术平台（简称“G5平台”）实现量产，每片晶圆产出裸片数量较上一代提升至少50%，公司还同步展出了基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。
长鑫科技旗下子公司长鑫存储在技术细节中披露，该平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，是长鑫存储在高端存储技术路线上的里程碑式突破。在关键工艺维度，G5平台实现了多项行业领先的技术突破。依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。
在G5微缩工艺突破背景下，存储密度实现跨越式提升：每片晶圆产出裸片（8Gb颗粒基准）数量较第四代平台提升至少50%，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。本次大会公司同步展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。
“未来将持续面向全球市场需求推进技术迭代，推出更高性能、更高可靠性的存储产品，为全球数字产业发展提供坚实的底层存储支撑。” 长鑫存储表示。
在智能终端领域，长鑫存储已经实现高端化突破，打破手机高端高速内存市场由海外原厂巨头主导的局面。
日前，长鑫存储自主研发的LPDDR6芯片已实现量产商用，首发搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机，成为全球范围内LPDDR6产品首次在旗舰手机端落地商用。该款产品芯片容量为16GB，最高传输速率可达12800Mbps，可满足旗舰级智能手机及高性能终端设备对计算能力的严苛需求。另外，长鑫存储近日发文称，“第二代豆包手机”努比亚NaviX Ultra搭载长鑫科技LPDDR5X内存，系国产高速率LPDDR5X芯片首次量产应用。
据公司预测，当前高性能、低功耗内存需求持续增长。LPDDR6作为最新一代低功耗高速率产品，未来落地场景将涵盖手机、电脑、智能汽车、边缘服务器、智能穿戴设备和机器人等领域。
半年报显示，受益于存储超级周期，全球DRAM产品供不应求，长鑫科技2026年上半年实现营业收入1503.1亿元，同比增长约8.7倍；实现归母净利润776.05亿元，同比大幅扭亏；主营业务毛利率大幅提升至84.84%。
来源：e公司
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责编：周莎
校对：王朝全
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