HBM将吃掉三成DRAM产能，AI正在重塑全球内存供需格局

【天极网DIY硬件频道】路透社9月29日报道称，三星电子预计，到2027年，高带宽内存(HBM)将占全球DRAM晶圆产能的近30%，高于目前约20%的水平。三星电子执行副总裁金泰宇(Kim Taewoo)表示，HBM与传统DRAM使用相同的晶圆生产资源，因此随着HBM产量继续增长，标准DRAM的供应可能进一步受到限制。

造成这一变化的直接原因无疑是AI服务器对HBM需求的快速增长。与传统DRAM相比，HBM通过多层DRAM芯片堆叠以及更宽的接口，为GPU和AI加速器提供更高的数据带宽，已经成为大规模AI训练和推理平台中的关键存储组件。随着GPU、AI专用集成电路(ASIC)单颗芯片搭载的HBM容量不断提升，HBM对DRAM晶圆的需求也在同步增加。

占比30%意味着什么

需要注意的是，三星提到的“近30%”并不是说HBM将占全球DRAM市场销售量的30%，而是指其所占用的DRAM晶圆产能。

市场调研机构TrendForce此前给出的预测更加直观：到2025年底、2026年底和2027年底，全球前三大HBM供应商的HBM晶圆投片量占整体DRAM晶圆投片量的比例预计分别达到约18%、22%和30%;但如果按照最终bit供给计算，对应比例分别约为8%、9%和13%。造成这一差异的原因在于，HBM生产需要更多晶圆资源，同样的晶圆投入并不能转化为与传统DRAM等比例的bit产出。

这也解释了为什么HBM占用30%的晶圆产能会对普通DRAM市场产生明显影响。简单来说，AI服务器越需要HBM，内存厂商就越需要在有限的晶圆资源中重新分配产能，传统DDR5、LPDDR等产品能够获得的资源就会被压缩。

这种“挤出效应”已经开始反映在DRAM市场数据中。TrendForce数据显示，2026年第二季度全球DRAM产业收入达到约154.73亿美元，环比增长59.5%，传统DRAM合约价格上涨是重要推动因素。与此同时，AI服务器带动HBM3E、高容量RDIMM等产品需求增长，供应商库存处于历史低位，新增产能也主要优先投向服务器市场。

新一代HBM仍在抢产能

更值得关注的是，HBM自身也正在快速升级，产能竞争短期内很难缓解。

三星今年已经正式开始供应HBM4，并表示2026年HBM销售额预计较2025年增长三倍以上，同时持续扩大HBM4生产能力。三星还计划在2026年下半年提供HBM4E样品，并从2027年开始向客户提供定制化HBM样品。

美光同样在推进产品迭代。公司此前披露，基于1-beta DRAM工艺的HBM4已经进入高量出货阶段，HBM4E则基于下一代1-gamma DRAM工艺开发，预计在2027年实现量产。

与此同时，TrendForce在9月29日发布的最新报告认为，“AI服务器需求的持续增长导致 HBM和传统DRAM持续争夺有限的先进工艺和晶圆产能。与此同时，下一代产品的良率和产量需要时间才能提升，这将使内存供应在2027年之前持续紧张”。由于HBM4占比提高以及HBM4E逐步在2027年下半年进入市场，TrendForce甚至将2027年HBM综合平均售价涨幅预期上调至同比121%。

内存涨价让消费电子市场雪上加霜

产能持续向AI服务器倾斜，已然影响传递到PC、手机等消费电子市场。

TrendForce预计，2026年三季度传统DRAM合约价格仍将继续上涨，尽管涨幅较此前有所放缓，但供应商对服务器内存的资源倾斜依然存在。与此同时，部分PC和手机厂商已经开始面对更高的内存采购成本。路透社9月16日报道称，一些规模较小的手机和笔记本厂商正在为至少持续到2027年的内存短缺做准备，部分厂商甚至调整产品设计、采购方式以降低供应风险。

从供应端来看，新增产能也很难快速填补缺口。TrendForce指出，虽然多家厂商计划在2027年投产新产能，但厂房建设、设备安装以及原材料准备都需要时间，真正形成明显产出可能要到2027年下半年，而更大规模的产能贡献可能要等到2028年。

SK海力士CEO郭鲁正‌(Kwak Noh-jung)此前也表示，2027年全球内存市场可能迎来前所未有的供应短缺，需求超过产能的状态甚至可能持续到2030年以后。

HBM已经成为影响整个内存供应体系的重要变量。AI数据中心持续扩张意味着HBM需求仍将增长;而HBM占用越来越多晶圆资源也会让传统DRAM市场继续承受供应压力。对于内存行业而言，接下来真正值得关注的是AI需求究竟会从传统DRAM市场抽走多少产能，以及新建晶圆厂和先进制程升级能否及时补上这一缺口。这场由AI驱动的内存产业重新分配或许才刚刚开始。

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