证券投资公允价值变动转负 兆易创新Q3净利润环比下滑逾两成｜财报解读

财联社10月30日讯（记者 王碧微）受益于存储芯片产品量价齐升，存储龙头兆易创新（603986.SH）前三季度净利润暴增逾9倍。财联社记者注意到，证券投资的公允价值变动影响，公司第三季度净利润环比下滑超两成，扣非净利润却环比增长约31%。

公司昨日晚间发布公告，前三季度实现营业收入202.97亿元，同比增长197.11%；归属于上市公司股东的净利润110.66亿元，同比增长921.55%；经营活动产生的现金流量净额为101.24亿元，同比增长463.81%。

对于前三季度业绩高增长，公司表示，主要系存储芯片行业供给紧张，公司存储芯片产品量价齐升，存储业务持续向好。与此同时，MCU（微控制器单元）等多个业务产品线持续发力，产品出货规模实现较好增长，带动整体经营业绩大幅提升。

此外，证券投资也为前三季度业绩做出贡献。财报显示，公司持有的证券投资期末公允价值上升，相应确认的公允价值变动收益大幅增加，前三季度该项收益合计18.78亿元。受此影响，公司第三季度归母净利润环比下滑超两成。

分季度来看，第三季度实现营收87.32亿元，同比增长225.65%，环比增长约18.35%；归母净利润42.09亿元，同比增长728.93%，环比下降约22%；扣非净利润为45.51亿元，环比增长约31.13%；毛利率约为70.3%，环比提高约3.75个百分点。

非经常性损益由正转负，是公司三季度归母净利润环比回落的主要原因。财报显示，第三季度非经常性损益为-3.42亿元，其中，金融资产公允价值变动及处置等产生的损益为-3.53亿元。第二季度公司非经常性损益约为19.2亿元。

公司2026年半年报显示，公司计入其他非流动金融资产的证券投资，主要是联讯仪器（688808.SH）、臻宝科技（688797.SH）、强一股份（688809.SH）等上市公司股权，公允价值变动计入当期损益，属于非经常性损益。公司当时已经提示，这部分收益后续可能出现波动，也会对未来净利润产生影响。

兆易创新持有的长鑫科技（688825.SH）股权，计入的则是其他权益工具投资。今年7月27日，长鑫科技正式在科创板上市，上市首日市值即突破3万亿元，兆易创新的持股比例约1.6%。此前，兆易创新在公告中表示，长鑫科技IPO所产生的公允价值变动对公司当期及以后年度的净利润无直接影响。前三季度，公司其他权益工具投资的公允价值变动计入其他综合收益430.01亿元。

从同行业来看，近期发布三季报的几家存储模组厂商，单季利润已从高点回落。

其中，佰维存储（688525.SH）前三季度营业收入217.17亿元，同比增长230.3%；归母净利润87.68亿元，同比增长逾287倍。但从单季度看，其第三季度的营收与净利润，环比均下滑。

江波龙（301308.SZ）三季度的业绩走势亦类似。该公司昨晚发布公告，前三季度营收为387.18亿元，同比增长131.37%；归母净利润为143.22亿元，同比增长1909.68%。其中，第三季度营收为146.30亿元，同比增长123.74%；归母净利润为37.45亿元，同比增长436.60%，但环比下降约44%。

江波龙此前在业绩预告中表示，2026年第三季度，全球存储器市场供需格局总体仍然偏紧，但受前期较高价格基数影响，DRAM和NAND Flash价格涨幅较前期明显收窄，存储价格上涨对公司盈利的边际贡献显著趋缓。

此外，另一存储模组厂商德明利（001309.SZ）第三季度实现营收116.45亿元，归母净利润27.29亿元，环比增长2.17%。不过，今年第二季度，在佰维存储和江波龙业绩环比大增时，德明利的净利润已经先行回落，当季归母净利润环比下滑约20%。

即便是在晶圆制造端，国内DRAM龙头长鑫科技的利润环比增速也明显放缓。公司预计，前三季度实现营收2650亿元至2700亿元，净利润1310亿元至1325亿元，同比扭亏。据此计算，第三季度净利润约在533.95亿元至548.95亿元之间，相较第二季度的528.43亿元，环比增幅收窄至1%至3.9%。而在今年第一季度和第二季度，长鑫科技的净利润环比增速曾分别高达246.09%、113.4%。

作为兆易创新的主营产品之一，NOR Flash的涨价节奏也在变化。知名市场研究机构集邦咨询9月中旬发布的报告显示，2026年上半年NOR Flash合约价平均累计涨幅达100%至120%，但下半年则出现分化。预计256Mb及以上高容量产品下半年平均价格仍有90%至110%的上涨空间，但128Mb及以下的中低容量产品涨势趋缓，预估2026年第四季度涨幅落在10%至20%之间。

但从供给端来看，整个存储市场的紧缺局面并未结束。

兆易创新副董事长、总经理何卫在2026年半年度业绩说明会上表示，DRAM产品方面，预计下半年还会延续上涨态势，价格会转为温和上行；展望2027年，DRAM行业增量产能释放相对有限，供应紧张局面不会明显缓解，行业景气周期相对较长，产品价格会呈现高位震荡态势；SLC NAND Flash产品方面，景气周期至少会延续至2027年全年。

第三方研究人士也持类似观点，一家市场研究机构的存储行业分析师表示，DRAM供给将在整个2027年维持紧张态势，价格上涨周期有望延续至2028年上半年。他认为，由于头部厂商将新增晶圆产能优先倾斜至溢价更高的HBM（高带宽内存）产品，普通DRAM的增量主要依赖制程升级，这也进一步延后了通用存储供给过剩的风险。

（财联社记者 王碧微）