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近日，外网一位自称台积电员工，曾在三星、IBM Research、洛斯阿拉莫斯、欧洲核子研究中心、美国宇航局等科技实体工作过的网友发帖称，中国有望通过激光诱导放电等离子体(LDP)EUV生成商业化准动是光刻技术的DeepSeek时刻。
春江未暖鸭先知，专业资深人士很容易通过蛛丝马迹推测出某项技术的大致进展。这位网名为“博士金（金瑞妍）”的外网网友拥有常人难以拥有的技术背景，她一定是发现或得到什么重磅消息才会认为我国有望通过“LDP-EUV”技术路线实现光刻技术的“Deepseek”时刻。
如果有兴趣，只需要搜索国内与EUV相关的技术专利，就会发现我国的EUV光刻机相关技术专利已经全面覆盖所有可能实用的技术路线，如LPP-EUV、DPP-EUV、LDP-EUV、SR、FEL-EUV、SSMB-EUV等技术路线。这其中前三种技术路线其实是大同小异，都是由EUV光源、反射镜、双工件台、真空腔等4部分组成，主要区别在于光源工作原理不一样。
一、LPP-EUV光源工作原理和优缺点
通过高功率激光脉冲轰击液态金属靶材（如锡滴），产生高温等离子体，释放波长13.5 nm的EUV光。该技术是目前主流技术，被ASML的EUV光刻机采用，是目前唯一量产的技术路线。日本尼康正在研制的EUV光刻机也采用这个技术路线。
这种EUV光源优点是亮度较高，适合高分辨率光刻需求。
有4方面优点：
1. 高转换效率：激光能量转换为EUV光的效率较高（约5%）。
2. 低碎屑污染：通过优化靶材（如锡滴）和缓冲气体，减少等离子体碎屑对光学元件的损伤。
3. 可扩展性：通过多路激光并行或高重复频率设计，可提升功率（例如250W以上）。
4. 控制精度高：激光参数（脉宽、能量）和靶材位置可精确调节。
有3方面缺点：
1. 系统复杂：需要高功率CO₂激光器（数十千瓦级）和精密靶材控制系统，成本极高。
2. 热管理挑战：高功率激光导致热负载大，需复杂冷却系统。
3. 靶材消耗：锡滴需持续供给，存在靶材残留清理问题。
二、DPP-EUV光源工作原理和优缺点
通过高压放电在电极间产生等离子体，释放EUV光。早期EUV光源的主要研究方向，但受限于功率和稳定性，逐渐被LPP取代。早期研究和小规模实验设备，目前逐渐被边缘化。
有2方面优点：
1. 结构简单：无需复杂激光系统，设备成本较低。
2. 高瞬时功率：放电产生的等离子体瞬时功率较高。光源功率可以做到250W以上。
有4方面缺点：
1. 电极损耗严重：放电过程中电极材料（如锡或氙）的溅射污染光学元件，降低系统寿命。
2. 转换效率低：能量转换效率仅约1-2%。
3. 功率瓶颈：难以实现高重复频率，长期功率稳定性差。光源功率难以做到100W以上。
4. 维护成本高：频繁更换电极和清理碎屑增加运营成本。
三、LDP-EUV光源工作原理、优点和存在的问题
结合激光和放电技术，先用放电产生预等离子体，再用激光进一步激发以提高EUV输出。若能研制成功，有望集合LPP-EUV和DPP-EUV两种光源优点，削弱这两种光源缺点，最终做到LPP的高效性和DPP的低成本。
有3方面优点：
1. 提升效率提升：激光辅助可提高放电等离子体的能量利用率。
2. 减少碎屑：通过优化放电和激光参数，减少电极材料溅射。
3. 降低成本：相比LPP-EUV，这种光源对激光器的功率要求较低。
存在的问题：
1. 技术不成熟：尚处于实验室阶段，工程化难度大。
2. 系统复杂度增加：需同时协调放电和激光系统，控制难度高。
3. 功率限制：目前输出功率仍低于LPP，难以满足量产需求。需进一步研发突破才有能对LPP-EUV技术路线形成综合优势。
从相关研究论文和技术专利来看，我国第一代EUV光刻机最有可能采用LPP-EUV和LDP-EUV两种技术路线，并且研究已经很深入，很有可能已经造出整机，处于调试阶段。
一旦我国真的率先研制出采用LDP-EUV光源的极紫外光刻机，将有望凭借更低的使用成本和更低的造价在竞争中领先ASML，达到“换道超车”的效果。
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