山西
11月20日，记者从太原中北高新技术产业开发区获悉，该区企业山西天成半导体材料有限公司继今年成功研制12英寸导电型碳化硅单晶材料后，依托自主研发设备，又攻克12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料技术难关，实现大尺寸碳化硅核心材料双技术路线的重大突破。
天成半导体成立于2021年8月，是太原中北高新技术产业开发区培育的高新、专精特新技术企业典范。依托区域良好的创新生态，企业已构建完整自主知识产权技术体系，斩获多项专利软著，其长晶设备获欧盟CE认证，企业更通过IATF16949车规质量管理体系认证，为产品进入高端市场奠定坚实基础。
目前，该企业已形成“装备+耗材+工艺服务”一体化解决方案能力，率先实现8英寸至12英寸导电型与半绝缘型碳化硅单晶材料可量产化。12英寸导电型碳化硅单晶材料晶体有效厚度已突破35毫米，自主研发的长晶设备可产出直径达350毫米的单晶材料，更形成了12英寸高纯半绝缘与N型单晶生长双成熟工艺体系。
这一系列成果的取得，源于企业对核心技术的持续攻坚，其先后攻克大尺寸扩径工艺、低缺陷单晶生长工艺等技术瓶颈，构建起从长晶设备制造、粉料制备、热场石墨组件制备到晶体加工的全流程自主可控生产线，产品质量达到国际领先水平。
近年来，太原中北高新技术产业开发区通过构建完善创新生态、强化要素保障，推动半导体产业集群化发展，培育出一批掌握核心技术的优质企业，此次天成半导体的技术突破，是其深耕半导体产业、强化创新驱动的生动缩影。中北高新区将持续为企业提供全生命周期服务，支持天成半导体等企业推进技术产业化落地，加速构建新兴产业集聚区，助力半导体产业自主可控发展。
记者：范珉菲
编校：崔玲玲
责编：张琦
审核：杨继红
本文转载于《山西日报》。
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