半年至少净赚660亿，A股存储新龙头来了？

创业圈聚焦创新经济，关注创投机构

在SK海力士、三星电子、美光科技陆续交出超预期财报后，国产DRAM（动态随机存取存储器）产业也开始进入业绩兑现阶段。

5月17日，上交所披露长鑫科技更新招股说明书，并恢复上市审核程序，审核状态重新变更为“已受理”。与此同时，长鑫科技同步披露2026年一季度经审阅财务数据。

数据显示，今年一季度，公司实现营业收入508亿元，同比增长719.13%；净利润330.12亿元，同比增长1268.45%；经营活动产生的现金流量净额达到425.66亿元，同比增幅超过21235.10%。公司预计，2026年上半年营业收入将达到1100亿至1200亿元，净利润预计为660亿至750亿元。

随着AI服务器、高性能计算与大模型训练需求快速增长，高性能DRAM逐渐成为AI基础设施中最紧缺的核心器件之一，全球存储行业进入新一轮景气周期。过去一年，海外存储板块持续走强，多家韩美存储巨头股价实现数倍上涨，部分产业链公司甚至走出10倍行情。

这一轮存储景气周期里，长鑫科技正在成为国产DRAM产业中的重要角色。该公司为DRAM研发设计制造一体化（IDM）企业，提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多元化产品方案，产品应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场领域。

按照产能、出货量和销售额统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。基于Omdia数据测算，按2025年第四季度DRAM销售额统计，长鑫科技全球市场份额已增至7.67%，并有望随着技术迭代与产能扩张进一步提升。

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补齐A股原厂短板

“长鑫科技IPO补齐了A股原厂短板，市场关注点必然向具备晶圆制造与产能控制的原厂倾斜。”深度科技研究院院长张孝荣向创业圈记者表示，这将重构估值体系，推动板块从题材炒作转向业绩落地，并有助于带动上游设备材料等核心环节的估值重塑。

事实上，长鑫科技被市场关注，并不仅仅因为业绩爆发。过去几年，A股“存储板块”的上涨逻辑，更多集中在模组、封装、渠道与分销环节。无论是佰维存储（688525.SH）、德明利（001309.SZ），还是香农芯创（300475.SZ），本质上都受益于存储涨价、库存周期与品牌运营，但并不掌握DRAM最核心的制造能力。

DRAM制造是典型的重资产、高研发、高资本开支行业，长期被三星电子、SK海力士与美光科技三大原厂垄断。行业竞争的核心，不只是产品销售，更是晶圆制造、工艺迭代、产能控制与资本投入能力。

考虑到存储链核心壁垒，“长鑫科技作为国内DRAM原厂龙头，将重塑板块估值体系，引领产业链价值重估。”GKURC产经智库首席分析师丁少将向创业圈记者表示。

从技术路径看，长鑫科技也是内地DRAM产业少数完成自主迭代的企业。2019年，其首次推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现内地DRAM产业“从0到1”的突破。此后，其LPDDR5X产品最高速率达到10667Mbps，较上一代LPDDR5提升66%；首款国产DDR5产品速率达到8000Mbps，单颗最大容量24Gb。

事实上，长鑫科技研发投入仍在持续加码。招股书显示，2025年长鑫科技研发投入达到95.93亿元，同比增长51.28%；2023年至2025年累计研发投入达到206.05亿元。截至2025年底，公司累计专利数量达到6972件，并已完成从第一代到第四代工艺平台的量产迭代，产品覆盖DDR4、LPDDR4X至DDR5、LPDDR5/5X等多个世代。

与此同时，长鑫科技也开始进入国内主流终端与云厂商供应链。根据招股书，公司目前已与阿里云、字节跳动、腾讯、联想集团、小米集团、传音控股、荣耀、OPPO及vivo等客户展开合作，其市场份额也在持续提升。

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需警惕行业回调压力

经历数月的快速上涨后，存储市场近期开始出现阶段性波动。今年4月前后DRAM现货价较高点出现小幅回调。数据显示，DXI、DRAM及NAND价格指数在阶段性冲高后，均较高点出现回调。

但市场普遍认为，这更像是短期交易层面的扰动，而非行业趋势反转。

招商证券在研报中指出，前期现货价涨幅过高导致买方承接意愿低迷，叠加部分贸易商资金周转压力下降价变现，短期内买方普遍观望、以消化库存为主。不过，相比波动更大的现货市场，反映真实供需关系的合约价格仍在持续上涨。根据TrendForce预测，2026年第二季度传统DRAM合约价格环比涨幅仍将达到58%至63%。

需求方面，根据TrendForce预计，2026年全球九大CSP合计资本支出将达约8300亿美元，同比增长79%，共同驱动从HBM、Server DRAM到eSSD、HDD的全栈式需求增长。库存方面，三星、海力士、美光、南亚科今年一季度库存维持低位，美光DRAM库存周转天数已降至120天以下的紧张水平。

事实上，供需缺口仍在进一步扩大。根据SemiAnalysis，2026年DRAM供应低于需求约7%，其中HBM缺口6%、2027年进一步扩大至9%，通用DRAM未来两年也将维持约7%的结构性缺口。根据宇瞻预计，2026年DRAM供需缺口将继续维持，DRAM价格仍有充足的上行动能，紧缺周期持续时间显著拉长。

在业内看来，这意味着存储产业景气周期仍远未结束。丁少将指出，2026年DRAM市场供需缺口贯穿全年，AI服务器需求虹吸效应主导格局，但价格涨幅呈明显收窄态势。他表示，需警惕2027年巨头扩产、需求波动带来的周期回调压力。

张孝荣则认为，2026下半年，DRAM涨势延续但涨幅会收窄，品类分化趋势明显。长鑫科技受益于周期红利与产能满载，业绩高增确定性强。

作者 | 朱成呈 闫晓寒

编辑 | 郭儒逸

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