四川
美股财经社旧金山讯——全球三大存储芯片厂商三星电子（005930.KS）、SK海力士（000660.KS）和美光科技（MU.US）正面临一桩美国联邦反垄断集体诉讼。原告指控三家公司在人工智能引发的”内存荒”中合谋限制传统DRAM供应、抬高价格，进一步加剧了当前席卷电子产业的内存短缺危机。
该案于6月25日提交至加州北区联邦地区法院，案号3:26-cv-06345，由法官Noel Wise审理，首席原告为Marc Garciaguirre。原告共17名，包括14名个人消费者，以及Troy’s Computers、JB Tech Solutions和WNTD Fab三家小型电脑零售及组装企业。原告由Bathaee Dunne律所代理——该所此前曾在一桩针对谷歌数字广告业务的反垄断案中胜诉。
诉状援引《谢尔曼法》第一条，指控三家公司自2022年起协同控制DRAM的供应与定价。原告称，当年市场需求疲软促使三家厂商开始联手削减产能，并集体将业务重心转向用于AI加速器的高带宽内存（HBM），同时逐步退出DDR3、DDR4等传统存储产品，从而在价格飙升期间进一步压缩了传统DRAM的市场供给。诉状称，过去四年间DRAM价格累计上涨约700%。
三家公司合计掌控全球约90%的DRAM市场。原告主张，被告以”转向HBM扩产”为借口实施减产，实为人为制造稀缺、操纵价格的幌子。原告请求法院发布禁令，叫停所谓的协同限供行为，并依据反垄断法判令三家公司支付三倍损害赔偿，同时承担诉讼费与律师费，原告并要求陪审团审理。上述指控目前均为单方主张，尚未经法院认定。
诉状将矛头与近期消费电子涨价直接挂钩，特别提及苹果对iPad和Mac产品的大幅提价。在AI数据中心对内存的需求激增背景下，存储厂商正把大部分晶圆产能倾斜至利润更高的HBM。市场研究机构数据显示，2026年HBM将占用约23%的DRAM晶圆产能，高于上年的19%；今年一季度DRAM价格环比一度跳涨约90%。
此次诉讼勾起了业界对二十多年前那桩反垄断旧案的记忆。在美国司法部2000年代初发起的DRAM价格操纵调查中，三星电子与海力士半导体（SK海力士前身）于2005年认罪，分别被处以约3亿美元和1.85亿美元罚款，部分高管入狱；美光则因配合调查而免于处罚。原告认为，当前的价格暴涨是那一轮合谋的”重演”。
三星、SK海力士和美光均未就此案立即置评，三家公司的应诉律师信息暂未披露。三家厂商此前一再表示，当前短缺源于AI需求的结构性激增，并称正通过新建晶圆厂和产线扩大供给。受惠于AI内存的火爆，三星半导体部门一季度营业利润达53.7万亿韩元（约合361亿美元），占其总利润的逾九成。
投行Jefferies等机构则认为，该诉讼短期内难以撼动内存价格走势，预计至少在今年底前不会对市场构成实质影响。
资料来源：诉讼文件（Garciaguirre et al. v. Samsung Electronics Co., Ltd. et al.）、Law360、Tom’s Hardware、Fortune、S&P Global、TrendForce、IDC。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
