Micro LED光互连亮剑光博会

近日，CIOE中国光博会在深圳开幕，Micro LED光互连成为本届展会焦点技术之一。

从晶湛半导体、立琻、星钥半导体、镭昱半导体等上游外延、芯片及显示模组等企业，到光擎源、智算光联等系统方案商，多家企业集中展出了Micro LED光互连技术方案的最新进展。

图片来源：中国光博会

从技术特点来看，企业以Micro LED阵列替代传统激光器作为光源，通过多通道并行传输实现超高带宽密度；功耗普遍瞄准1-2pJ/bit甚至更低的量级，较传统光引擎方案大幅降低。

同时依托晶圆级工艺与CMOS兼容特性，为低成本、规模化制造提供了可能。在AI算力扩张、短距互连成为瓶颈的当下，Micro LED光互连正从概念验证走向产业化前夜。

Raysolve镭昱

本次光博会上，镭昱在光互连领域，重点展示了与合作方共同构建的Micro LED光互连验证平台，并实现多芯光纤信号传递。

图片来源：Raysolve镭昱

在Micro LED光互连领域，镭昱拥有四大先发优势：晶圆级工艺支撑成本优化与规模化制造；高效率发光为低功耗光互连提供技术基础；高效准直技术实现高稳定、高功率光输出；低串扰特性支撑高密度、多通道并行传输。

据悉，早在2021年，镭昱即延续团队在香港科技大学的技术探索，持续挖掘Micro LED在光纤互联场景中的应用潜力。镭昱依托在晶圆工艺、高密度阵列及高效光输出上的深厚积淀，在微显示的基础上重点突破光源调制速度、高效准直与低串扰等关键指标。

目前，镭昱正与多家头部光互连及光模块厂商开展深度合作探索，推动相关方案进入功能验证、性能优化及终端应用验证阶段。

星钥半导体

星钥半导体在光博会上展出的Micro LED光互连产品以"星掣"为名，主打极速光芯驱动高速互联。

其展台演示了基于Micro LED技术的光互连方案架构：光信号发送阵列与接收阵列通过光纤实现芯片间的信号传输，每个纤芯内集成多个Micro LED光通道，电信号经CPU/GPU输入后由光信号发送阵列转换为光信号传输。

数据图显示，其高带宽Micro LED的-3dB带宽可达约2500MHz，远高于普通Micro LED的约500MHz水平。通过高密度并行通道，Micro LED光互连架构有望降低能耗20x，高度匹配AI算力系统短距互连对超低能耗、高带宽密度等的要求。

星钥半导体目前深耕8英寸硅基GaN Micro LED芯片，已建成国内首条8英寸全流程中试线，单色芯片已批量生产，近期完成超10亿元A轮融资。

此前相关媒体报道，在Micro LED光通信领域，星钥半导体现已向产业合作伙伴送样开展产品验证测试，加速推进技术从研发走向产业化验证。

立琻半导体

立琻半导体（LEKIN）在光博会上展出了其基于硅基GaN平台的Micro LED光互连完整方案，并现场展示了硅基Micro LED光互连晶圆。

立琻半导体的Micro LED光互连方案具备三大核心优势：一是高带宽，可满足800G/1.6T光模块需求；二是低功耗，能耗仅1-2pJ/bit，较传统激光引擎方案大幅降低；三是高热稳定性，工作温区可达-40℃～125℃。

立琻将自家方案与传统激光引擎方案（TOSA/ROSA架构）进行了对比，指出后者存在带宽瓶颈、功耗过高、成本高昂三大痛点，而Micro LED光互连凭借超高带宽密度与高连接密度，可实现10米以内的高速传输，被视为AI算力短距互连的最优解，主要面向AI算力/数据中心短距光互连与车载大算力域控制器内连两大场景。

晶湛半导体

晶湛半导体展出了8-12英寸Si基GaN Micro LED光通信光源。该产品在电流密度500A/cm²下实现1.6GHz带宽，功耗低于1pJ/bit，为Micro LED用于短距光通信提供了新的技术路线。

晶湛半导体是国内领先的第三代半导体氮化镓外延片供应商，长期深耕Si基GaN外延技术，产品覆盖电力电子与光电子应用。近年来，随着Micro LED在高速可见光通信方向的潜力受到关注，公司正将大尺寸Si基GaN外延能力延伸至光通信光源这一新兴赛道。

光擎源

光擎源(上海)科技有限公司展出了自主研发的高性能Micro LED光互连系统样品，致力于为下一代算力数据中心打造全新互联解决方案。

光擎源创始人及首席科学家是田朋飞教授，深耕Micro LED光通信已有18年，公司聚焦系统算法，CMOS驱动电路与Micro LED阵列集成，提供可验证、可集成、可落地的光I/O方案，核心竞争力在于将Micro LED显示技术与光通信技术进行深度融合。

在长波长InGaN Micro LED方向，其发射端能量效率达0.056pJ/bit，该成果发表于《自然·通讯》并入选期刊编辑精选，在低电流密度6.25A/cm²下实现2.85GHz电光调制带宽与1.5Gbps稳定数据传输；

在短波长方向，405nm Micro LED实现全电流区间带宽突破3GHz，低电流（3.2mA）与高电流（32mA）区间均保持3GHz以上高频响应；在系统层面，其Micro-LED空间并行光通信方案采用4×4阵列16通道空分复用架构，实现37Gbps聚合速率与2.3Gbps平均单通道速率。

近期，光擎源完成数千万元种子轮融资。目前，光擎源团队正推进CMOS驱动电路与Micro LED阵列的单片及异质集成，预计很快将构建出1.6 Tbps量级的光互连系统样机，为下一代AI算力集群的CPO共封装光学与芯片间光输入输出提供自主可控的落地方案。

智算光联

智算光联与股东芜湖长信科技携Micro LED短距高速光互联与先进封装玻璃基板两大核心技术参展。

在Micro LED短距高速光互联技术方面，方案跳出传统激光器光模块路线，采用Micro LED光源阵列生成多路独立调制光信号，依靠微透镜阵列约束光路，配合光电探测阵列完成并行信号接收。

整套链路摆脱复杂的SerDes、DSP芯片依赖，有效降低链路功耗，目标能效可达小于1pJ/bit。据了解，智算光联在Micro LED光互连领域也已经展开产学研合作，未来会积极推进技术验证与产业化。

同时，智算光联展出了先进封装玻璃基板（TGV玻璃通孔）技术，是硅中介层的下一代重要替代路线。技术选用特种电子玻璃作为基材，通过改性湿法工艺制备TGV玻璃通孔实现垂直导通，结合双面RDL重布线工艺，还可在基板内部嵌入光波导，真正实现电光一体化集成。

技术可面向AI芯片Chiplet异构互连、HBM多芯算力集群、CPO硅光引擎载板，Micro LED光互联技术深度耦合，打造玻璃基光电共封装完整方案。

小结

本届光博会上多家企业的集中展示，反映出Micro LED光互连正受到产业链各方的关注。从技术特点看，企业均围绕阵列化并行传输、低功耗、晶圆级制造等方向展开，针对的是AI算力场景下短距互连的带宽与能效需求。

越来越多的方案开始进入送样验证或联合测试阶段，产业化落地的条件正在逐步具备。

据TrendForce集邦咨询分析，Micro LED CPO光收发模块最快可能在2028年下半年开始放量，到2030年预计贡献约8.48亿美元产值。展望未来，随着外延、芯片、封装到系统的各个环节协同推进，Micro LED光互连在功耗、成本与可靠性上有望持续优化，逐步通过数据中心场景的检验，未来成长空间值得期待。

文：LEDinside Irving

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