河南
NAND闪存大家都很熟悉，但是你注意过NOR闪存吗？
NAND闪存价格疯涨的同时，NOR闪存也不甘示弱，正经历近10年来最重要的供需结构转变，预计今年下半年将涨价90-110%！
NAND、NOR是主流的两类非易失性闪存（Flash），都是基于浮栅晶体管存储电荷的原理，可在断电状态下保存数据，但是底层逻辑阵列结构不同，导致在性能、密度、成本和应用场景上形成了明确分工。
NOR闪存采用或非门（NOR）逻辑阵列（只有在所有输入为高时输出为低），存储单元以并联方式，连接地址线（address lines）与数据线（data lines）。
优势是支持随机地址读取，读取延迟极低可达纳秒级，甚至接近SRAM（静态随机存取存储器）水平；支持XIP（就地执行），可以直接运行程序代码，无需先加载到内存；擦写寿命约1万-10万次，几乎不会存在坏块。
缺点是写入和擦除速度慢，存储密度低，成本远高于NAND。
典型应用包括：主板、显卡、路由器、交换机、机顶盒等设备的固件，汽车电子、工业控制的嵌入式代码存储，低容量启动存储、安全芯片、MCU（微控制器）外置存储，等等。
NAND闪存采用相反的与非门（NAND）逻辑阵列（只有在所有输入都为低时输出为高），存储单元以串联方式堆叠，通过页（page）/块（block）的串行方式访问。
优势是存储密度极高，成本远低于NOR；写入、擦除速度快，适合大容量数据存储，擦写寿命SLC约10万次、MLC约5000次（企业级约1万次）、TLC约3000次、QLC约1000次。
缺点是随机读取性能差，无法直接执行代码，必须搭配主控芯片和驱动，还存坏块管理需求。
典型应用包括：SSD固态硬盘、U盘、SD存储卡、手机存储、移动硬盘，等等。
根据集邦咨询的报告，当下AI占据多数闪存产能，加上高端应用需求升级，NOR闪存的产能增加非常有限，预计2026年下半年仍然是供需失衡的状态，整体合约价格维持在高点，高容量产品的价格甚至可能翻倍。
2026年上半年，NOR闪存的平均合约价累计上涨达100-120%。
到了下半年，256Mb及以上高容量产品需求强劲，新增产能又有限，预计平均合约价可能上涨90-110%。
128Mb及以下中低容量产品则相反预估涨幅只有10-20%，因为产能逐步放出，消费类产品价格又涨不动了。
虽然NOR厂商都已经加大资本支出、扩充产能，但是新增产能必须经过制程微缩、良率爬坡、产品验证、客户规划与设计等阶段，需要漫长的时间，不可能立刻转化为市场供给，因此在短期内，NOR闪存的供应缺口仍无法得到有效填补。
NOR闪存市场份额第一的华邦电子（Winbond）出货容量量增幅最大，主要来自45nm工艺产品全面放量，以及升级至25/20nm工艺带来的提升。
兆易创新（GigaDevice）排第二，产品线全面涵盖512Kb-2Gb，正积极升级32Mb及以上容量的工艺，但因为部分代工转移到了海外晶圆厂，正处于磨合期，影响上半年的有效产能，预计下半年可逐步回升。
旺宏电子（MXIC）虽然有新增300mm晶圆产能，但优先用于更紧缺的NAND、eMMC，导致NOR产能增幅受限。
与此同时，NOR的需求端非常旺盛，除了传统的先进驾驶辅助系统（ADAS）、数字座舱、工控应用，AI服务器、航天通信领域也开始爆发。
单台AI服务器的NOR需求量是传统服务器的3-5倍，而且内部配备大量重定时器（Retimer）芯片，都需要独立的NOR来加载微码。
边缘AI、AI PC、机器人等本地推理设备，带动大模型固件规模数倍膨胀，都需要高密度NOR。
在低轨卫星与航天电子领域，卫星的核心芯片组需要可靠度高的NOR来执行快速开机与固件备份，地面接收天线也内置NOR以维持实时运算、OTA固件更新。
关键是，航天用的NOR必须要求具备抗辐射、耐极端温差等特性，技术门槛非常高。
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