北京
9 月 28 日晚间，长鑫科技发布公告，公司拟使用130 亿元超募资金投建技术研发项目；同时以增资 + 借款的形式，向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司拨付50 亿元超募资金，用于实施存储器晶圆后道测试基地二期项目，两大项目合计总投资 349 亿元，本次合计动用超募资金 180 亿元。
技术研发项目
该项目总投资额 241 亿元，其中超募资金投入 130 亿元，建设周期 30 个月，由长鑫科技自主实施。项目将依托公司现有产业化积累、技术储备与落地经验开展研发工作。作为研发类项目，本次不单独测算投资回报，项目价值主要体现为通过技术迭代赋能主营产品，带动主营业务增长。项目落地后，将助力公司实现关键技术创新突破，加速科研成果产业化落地，推动存储产业升级，夯实企业研发实力，巩固行业市场地位，进一步提升整体核心竞争力。
存储器晶圆后道测试基地二期项目
本项目实施主体为全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司，总投资 108 亿元，公司通过增资及借款方式提供超募资金 50 亿元，项目建设期 37 个月。项目同样复用公司成熟的产业与技术积淀保障建设落地。经测算，项目内部收益率、总投资收益率均处于合理区间，具备良好经济效益。项目建成后，将进一步完善长鑫 IDM 全链条运营模式，打通从前道晶圆制造到后道测试的产业链闭环；解决公司测试产能缺口，保障后道环节供应链自主可控，同时降低测试环节成本，优化整体运营效率，强化企业综合竞争实力。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
