湖北
近日，据多个可靠信源消息，三星电子存储器业务部的12层HBM4E产品已于2026年9月底通过英伟达及主要超大规模数据中心运营商客户的质量认证测试。据悉，此次测试系客户针对产品性能、可靠性等指标进行的资格认证。但目前三星方面尚未确认该消息，目前客户具体采购数量、合同规模以及正式量产供货时间均尚未公布。
坊间普遍将这一进展视为三星进一步扩大其在英伟达高端HBM供应链中份额、争取新一代AI加速器内存订单的重要契机。不过，通过资格认证并不等同于已获得正式订单，具体供应关系仍需等待客户后续确认。
这对三星具有较强的指标意义。此前在HBM3E阶段，三星在英伟达高端HBM供应竞争中一度落后。2024年至2025年期间，其HBM3E相关产品在英伟达认证过程中曾经历波折，其中采用1a D램的早期方案被报道在发热等指标上未能满足英伟达要求；三星随后对相关D램进行重新设计，并最终于2025年9月通过英伟达HBM3E 12层产品的质量测试。
在这一阶段，三星与英伟达的合作并未中断，三星的GDDR7反而已进入英伟达部分GPU和AI加速器产品。例如，基于三星1b D램的GDDR7已被报道用于英伟达RTX 50系列以及部分RTX Pro Blackwell产品。相比之下，三星在HBM领域重新扩大与英伟达的合作，仍需经过严格的客户认证和后续供货验证。
在技术规格方面，三星于2026年5月29日正式公布的12层HBM4E样品容量为48GB，采用2048位接口，单堆栈在14Gbps速率下带宽约为3.6TB/s；当速率提升至16Gbps时，理论带宽约为4.1TB/s，三星将其概括为约4TB/s级别，最高速率较HBM4提升20%以上。
如果终端AI加速器搭载多个HBM堆栈，系统总内存带宽将按堆栈数量进一步累加，但具体数值取决于加速器的实际内存配置。后续三星将根据客户需求扩展32GB 8层和64GB 16层产品。
在工艺方面，三星HBM4E采用10纳米级第六代1c D램，以及三星电子晶圆代工业务的4纳米逻辑芯片（Base Die）。三星称，该组合已在HBM4产品中得到应用。与此同时，公司通过低功耗设计和封装结构优化，使HBM4E相较HBM4的能效提升约16%，热阻特性改善超过14%。
与此同时，HBM需求的增长也正在推动定制化内存方案的发展。英伟达于2026年8月公布的NVHBM是一套面向定制AI加速器的HBM方案：通过重新设计HBM基底芯片，将内存控制器移入3D HBM堆叠，并采用定制PHY，以降低内存接口所占面积。英伟达表示，与标准HBM4E相比，NVHBM的单堆栈内存带宽最高可提升30%，HBM功耗最高降低15%。
需要注意的是，NVHBM并非对标准HBM4E的简单替代，而是英伟达通过NVLink Fusion面向超大规模数据中心和AI原生企业定制XPU所提供的一种平台级内存方案。其意义在于，未来AI加速器的内存竞争可能不再只是传统HBM的容量、带宽和功耗竞争，还将进一步延伸到基底芯片、PHY、封装面积以及内存与计算芯片协同设计。
从这个角度看，三星此次HBM4E 12层产品据报通过英伟达及主要超大规模客户认证，真正值得关注的并不仅仅是“拿到了多少订单”，而是三星是否已重新进入下一代AI内存供应链的核心竞争区间。认证只是起点，后续量产、良率、供货规模以及实际产品导入情况，才是决定其能否真正扩大HBM市场份额的关键。
总体而言，三星HBM4E 12层通过认证，标志着其在高端AI内存领域重回竞争牌桌。但认证仅是入场券，能否将技术资格转化为稳定订单与市场份额，仍取决于后续量产良率、供货规模及客户实际导入进度，一切尚待时间验证。
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