北京
10月16日，国产存储芯片龙头长鑫科技发布前三季度业绩预告，预计2026年前三季度实现营业收入约2650亿元至2700亿元，较上年同期增加2329亿元至2379亿元；预计归属于上市公司股东的净利润约1310亿元至1325亿元，上年同期亏损52.8亿元，同比扭亏为盈。
从单季度维度拆解，公司第三季度预计实现营业收入约1146.90亿元至1196.90亿元，较二季度995.10亿元环比增长15.25%至20.28%；第三季度归母净利润约533.95亿元至548.95亿元，较二季度528.43亿元环比增长约1%至4%。
值得注意的是，公司第三季度营收环比增速较二季度有所加快，但净利润环比增幅明显收窄。数据显示，公司一季度归母净利润为247.62亿元，二季度跃升至528.43亿元，环比增幅超过110%，而三季度净利润环比增速回落至个位数。
净利润环比增速回落的背后，是DRAM价格涨幅的边际收窄。据TrendForce集邦咨询数据，2026年一季度全球DRAM合约价环比涨幅高达90%至95%，二季度仍维持58%至63%的高增长，但到三季度涨幅已收敛至13%至18%。价格涨幅的逐季收敛，意味着公司在营收端仍保持可观增长，但利润端的边际提升空间受到一定压缩。存储模组厂商江波龙在同期业绩预告中也指出，三季度DRAM和NAND Flash价格涨幅较前期明显收窄，存储行业正在从消费类价格周期转向AI驱动技术周期。
公司表示，业绩变动主要系2025年下半年以来AI算力需求快速增长，全球DRAM行业景气度提升，产品供不应求，价格大幅上涨。公司稳步推进产能建设、产品研发和工艺技术提升，进一步提高单位晶圆产出和产能利用率，规模效应持续显现，产能利用率保持高位运行。
同日，长鑫科技公告董事长朱一明提议回购公司股份，资金总额不低于10亿元、不超过20亿元，回购股份拟用于员工股权激励、员工持股计划或减少注册资本。
长鑫科技本轮业绩爆发与全球存储芯片“超级周期”密切相关。AI大模型训练与推理对高速存储的需求快速抬升，服务器DRAM和企业级SSD需求持续旺盛，而海外存储大厂新增产能释放节奏偏慢，供需缺口中期难以逆转，原厂普遍判断供需紧张格局或将延续至2028年之后。高盛研报显示，2026年全球DRAM、NAND、HBM的市场供需缺口分别达到4.9%、4.2%和5.1%，均为2011年以来最高水平。
二级市场方面，长鑫科技表现经历了剧烈波动。公司于2026年7月27日登陆科创板，上市首日盘中市值即超越工商银行，登顶A股市值榜首。8月17日，股价冲高至61.8元，总市值创下4.13万亿元的阶段高点。此后股价持续震荡下行，至10月15日收报43.59元，总市值回落至2.96万亿元，被工商银行、建设银行先后超越，两个月市值累计蒸发超1万亿元。
机构层面，多家券商近期给予长鑫科技“买入”评级，华泰证券给予目标价75.4元，中国银河证券预计公司2026至2028年归母净利润分别为2515亿元、4257亿元和5617亿元。不过，券商研报同时提示，公司当前估值处于较高水平，行业周期波动及产能爬坡进度仍是影响后续走势的关键变量。
在业绩高增与市值大幅回调并行的背景下，长鑫科技如何平衡产能扩张节奏与估值预期，将是其下一阶段面临的核心考验。
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