北京
据路透社报道，根据据四名知情人士透露，三星电子（Samsung Electronics）与 SK 海力士（SK Hynix）正在升级其中国工厂，以生产更先进的存储芯片，目的是抵御来自快速崛起的中国竞争对手的冲击，同时满足巨大的 AI 需求。
自 2022 年美国开始对部分芯片制造设备实施出口管制、以图放缓中国技术进步以来，要在多大程度上投资其在华业务，已成为这两家韩国半导体巨头的一道棘手难题。
如今，两家公司若想在中国安装刻蚀机等美国制造的设备，必须每年申请美国许可。美国商务部工业与安全局（BIS）还在 2025 年表示，它无意批准外国芯片制造商升级其中国工厂技术、扩大产能的许可申请。
这些监管难题限制了它们改造工厂的能力，并导致市场份额流失给长江存储科技（YMTC）。这两家韩国芯片制造商的高管此前已公开警告，地缘政治紧张正在削弱其在华业务。
三星和 SK 海力士在致路透社的声明中确认，升级工作正在进行，且是在与美国方面密切磋商下推进的，但并未披露生产计划的细节——相关计划在此为首次报道。
不过，路透社无法确定美国当局已就三星和 SK 海力士所需升级设备批出了多少出口许可。
据这些人士称，两家公司正致力于在其中国工厂制造层数超过200 层的 NAND 闪存芯片，这将使它们的在华生产水平与韩国本土看齐。
NAND 广泛用于智能手机、个人电脑，以及 AI 数据中心所用的固态硬盘。单颗芯片的层数越多，存储密度就越高，成本也越低。
其中两位人士称，三星位于中国西北部西安的工厂约占该公司全球 NAND 产量的 40%，目前生产的芯片约为 200 层。
一位人士表示，作为内部代号“Monami”（源自法语“我的朋友” mon ami）项目的一部分，三星正将该厂改造为生产 286 层 V9 NAND 芯片，目标是在今年 12 月实现每月 5000 片晶圆的产出，随后到 2027 年 12 月跃升至每月 4 万片晶圆。
三星表示，其升级符合美国出口法规，并补充称：“此次升级旨在满足包括美国客户在内的全球客户不断增长的需求。公司并未扩大产能，也没有建设新的生产设施。”
三位知情人士称，SK 海力士正谋求将其位于中国东北的大连工厂转为生产 240 层及以上的 NAND 产品。
一位人士称，该厂目前生产的是 192 层产品。
SK 海力士在 2021 年收购英特尔 NAND 业务时一并获得大连工厂，该厂目前仍是这项业务唯一的 NAND 芯片制造基地——该业务现已更名为 Solidigm，正在筹备美国首次公开募股（IPO）。
其中一位人士称，该公司获准在大连生产最高 240 层的芯片，并可能向华盛顿申请许可，在大连开展 300 层以上芯片的研发，以便为未来可能在美国量产打下基础。该公司正就计划在美国新建一座 NAND 工厂与特朗普政府进行商讨。
美国政府工业与安全局没有直接回应路透社关于这两家韩国芯片制造商审批状态的提问，而是让路透社参考其 2025 年的声明——该局打算批准它们运营在华现有工厂的许可申请，但不包括扩大产能或升级技术。
就在三星和 SK 海力士为在华工厂投多少钱而纠结之际，长江存储已取得长足进展。
研究机构 Omdia 的数据显示，长江存储今年第二季度已占据中国 NAND 市场 38.5% 的份额，高于 2025 年全年的 28%，并反超三星。相比之下，三星的份额已从 36% 滑落至 33.5%，SK 海力士的份额则从 20% 降至 17%。
另据两位知情人士称，长江存储的产品线以 160 层和 232 层 NAND 芯片为主，但也少量生产 294 层芯片，并计划制造 300 层以上的产品。
长江存储未回应路透社的置评请求。
在中国以外，三星销售的 NAND 芯片最高为 286 层，并在 8 月发布了超过 400 层的 NAND 原型芯片；SK 海力士销售的 NAND 芯片最高达 321 层。
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