北京
研究了二十年的技术，被自家CTO一句话判了死刑。美光在周三的活动上明确表态：4F² DRAM不再进入未来的产品路线图。
这个决定之所以扎眼，是因为4F²一直被当成DRAM行业的"圣杯"之一。按理论计算，4F²存储单元的占地面积比传统6F²设计小约33%，在相同面积里能塞进更多存储单元。美光自己就是这项技术的发明者。
"美光发明了4F² DRAM，"美光总裁兼首席技术与产品官斯科特·德博尔（Scott DeBoer）在活动上说，"这二十年来，4F² DRAM一直是一个选项，我们评估过，但因为复杂度和成本的增加而没有采用。"
理论优势为什么不等于实际密度
德博尔给出的核心理由是：决定DRAM位密度的不是晶体管的名义面积，而是电容的间距和尺寸。
"重要的是理解电容间距、电容尺寸和维度，这才是决定DRAM位密度的东西，而不是6F²、4F²还是8F²，"他说，"从我们过去二十年对这项技术的研究来看，4F²相比6F²能带来什么，某种程度上是个神话。"
他的解释是，无论晶体管怎么设计，最终都得塞在电容间距之下。只缩小晶体管面积，并不能保证整体单元尺寸同步缩小——晶体管需要配一个电容。美光还认为，4F²会引入额外的制造步骤和复杂度，成本上去了，收益却不够。
德博尔甚至用了"烟雾弹"来形容这场关于6F²与4F²的讨论。
和三星、SK海力士走岔了路
值得注意的是，三星和SK海力士的路线图里仍然保留着4F²存储单元。美光这一退，等于把自己放到了和同行不同的轨道上。
这也不是美光第一次这么干。几年前，它就推迟了把EUV光刻引入制造流程，与竞争对手的做法相反，但在成本和性能上仍保住了竞争力。所以跳过4F²，并不算完全出人意料。
德博尔承认4F²在技术上可行，美光自己也造过实验器件。"往回退几个节点，4F²绝对可以造出来，毫无疑问，"他说，"它更复杂、更贵，但你能做。可当我们看4F²在今天的水平之上继续微缩时，那就是物理问题了。"
他的判断是：4F²在某个点之后没有可持续的微缩路径，最终接棒的会是3D DRAM，而不是4F²。
美光的替代方案
不换晶体管架构，美光打算继续把传统6F² DRAM做下去，靠降低电容间距和推进制程来提升位密度。
- 先进光刻、新材料和晶圆键合，被认为能让平面DRAM的微缩再延续几代
- 即将到来的1δ制程计划于2027年下半年量产，相比上一代位密度提升20%出头
- 未来的DRAM世代计划采用High-NA EUV光刻
长期看，美光的首选答案是3D DRAM——把存储单元垂直堆叠，而不是只靠横向尺寸的缩小。公司已经在开发多代3D DRAM生产节点，但没有披露商业化量产的时间。德博尔只说，当3D DRAM在密度、制造复杂度和成本上达到合适的组合时，美光就会转过去。
一边是三星和SK海力士路线图上的4F²，一边是美光押注的6F²延伸加3D DRAM。同一道题，两种解法，谁的成本账算得更准，要等量产数据说话。
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