长鑫突破，美光放弃！

10 月 22 日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称 “中微公司”，股票代码：688012）官方宣布，近日又达成了一项里程碑：Primo Domingo® 气相高选择性刻蚀设备全球首台机顺利付运国内重要集成电路研发制造客户。

芯片架构三维化正成为支持芯片持续缩微的重要动能，而高选择性刻蚀工艺是三维器件制造的最关键工艺之一。针对GAA、3D NAND、3D DRAM等器件工艺需求，中微公司在高选择性刻蚀设备领域的重要突破，填补了国内在下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。

中微公司Primo Domingo®采用全对称腔体结构与优化流场设计，在气体注入、温度控制、压力调控等关键环节实现系统整合，确保晶圆表面刻蚀的高度均匀性与工艺重复性。Primo Domingo®独特的集成气柜设计，可缩短气体注入距离，实现更快脉冲气体精密控制，提升刻蚀性能。设备内部采用了高抗腐蚀管路与特殊涂层材料以应对工艺所需的高活性刻蚀气体，保障设备长期可靠运行。此外，Primo Domingo®配备了双制冷/双加热晶圆基座，支持宽范围精准温控，显著提升了刻蚀工艺的均匀性与稳定性。Primo Domingo®同样搭载中微公司量产的Primo C6V3传输系统，可灵活搭配主刻蚀腔和辅助退火腔，满足不同刻蚀应用的需求。

该产品的成功付运，不仅进一步丰富了公司在高端刻蚀设备领域的产品矩阵，更有力支撑了集成电路产业在先进工艺节点上的技术攻坚，为客户实现更高性能、更小尺寸的器件制造提供了关键工艺设备保障。

目前，中微公司刻蚀设备全面覆盖从65纳米到3纳米及更先进工艺的刻蚀应用，全面覆盖存储器中各类超高深宽比刻蚀应用。介质刻蚀达到 60比1，90比1的极高深宽比，硅刻蚀达到140比1 的极高深宽比，已经达到国际一流水平。公司行业首创的双反应台（Dual-Station）ICP刻蚀技术，已经达到0.2纳米的单原子水平，相当于一根头发丝直径的30万分之一。

经过长期深耕与技术攻坚，中微公司已经累计开发出54种高端半导体设备，其中包括26种细分的单反应台反应腔和双反应台可单台独立操作的高能等离子体CCP及低能等离子体ICP刻蚀机，还包括24种薄膜设备，如各种MOCVD、PECVD、LPCVD、ALD、EPI设备和CMP及先进封装、光学量检测设备等。截至 2026 年 6 月底，中微公司已累计超过 8800 个反应台在国内外220余条生产线上实现量产，设备稳定性、工艺精度、量产适配性获得全球市场充分验证，平台化商业化布局成果丰硕。

中微公司资深副总裁丛海表示：“中微公司开发的一系列刻蚀设备在性能、稳定性等方面满足了客户的高标准要求，并可覆盖国内大多数的刻蚀应用需求。中微公司持续践行‘五个十大’的企业文化，将产品开发的十大原则始终贯穿于产品开发、设计和制造的全过程，秉持为达到设备高性能和客户严格要求而开发的理念，坚持技术创新、设备差异化和知识产权保护。随着新应用的进一步拓展，我们将继续推进与客户的密切合作交流，通过技术领域的持续创新，不断为客户提供极具竞争力的产品和解决方案，实现稳步发展与深度共赢。”

目前，中微公司平台化战略已全面落地，产品覆盖度持续提升，企业发展迈入规模化新阶段。未来五年计划通过“有机生长和外延扩展”，持续拓宽产品矩阵，覆盖包括刻蚀，薄膜，湿法和量检测设备等约60%以上的高端半导体设备市场，以及70%以上的先进封装设备市场。未来，中微公司将继续秉承“五个十大”的企业文化，使企业总能量、对外竞争的净能量最大化，实现高速、稳定、健康、安全的高质量发展，在规模、产品竞争力和客户满意度上成为国际第一梯队的微观加工设备公司。

本月初，长鑫存储（CXMT）官宣在 4F² 。消息一经传出，多家海外存储芯片厂商股价应声走弱。作为全球第四大 DRAM 厂商，位列三星、SK 海力士、美光之后，长鑫这项进展，也让市场纷纷猜想：国产 DRAM 是不是找到了一条弯道超车的路线。 10 月 21 日，美光公开给出了明确回应：不跟进 4F² 路线。

4F²为什么被称作DRAM行业的“圣杯”？DRAM 的数据存储在一个个独立的存储单元里，单个单元在晶圆上占用的面积以 F² 衡量。当前行业主流方案是 6F² 单元结构，而 4F² 架构理论上可以将存储单元面积缩小大约三分之一。逻辑很简单：单元排布更紧凑，同尺寸晶圆就能集成更多存储单元，单颗芯片容量上限更高，所以 4F² 长久以来都是 DRAM 厂商争相追逐的技术目标。

颇具反差的是，美光方面称 4F² DRAM 技术最早由自家发明，二十年间持续评估这条技术路线，却始终没有落地量产；反而是长鑫存储率先在 4F² 单元架构上实现关键突破，给国产 DRAM 打开了新的想象空间。美光总裁兼首席技术与产品官斯科特・德博尔（Scott DeBoer）在相关活动上表示，4F² 已经不在美光后续技术路线图之中，美光会继续深耕 6F² 架构，同时把重心押注下一代三维 DRAM。

德博尔阐释了美光选择放弃 4F² 路线的核心理由。 第一，单元面积更小，不等于有效存储密度就能同步提升。他直言市场上对 4F² 的增益预期，很大程度上是一种迷思。决定 DRAM 有效密度的核心约束是电容间距，也就是相邻电容中心的距离。每个存储单元依靠电容留存电荷，电荷量必须达到阈值，数据读取才能稳定可靠。不管是 4F² 还是 6F² 方案，晶体管都要放置在电容下方，单纯压缩晶体管面积，没办法同步缩小电容间距，而电容间距的缩小难度，远高于晶体管。 第二，工艺复杂度抬升，成本收益不划算。美光评估认为，落地 4F² 架构需要新增大量额外制造工序，大幅抬升生产成本，但最终换来的密度、性能增益有限，商业价值不足。 第三，4F² 存在难以逾越的物理天花板。如果继续对 4F² 进一步微缩，很快就会触达底层物理限制。在美光的判断里，存储技术长期的归宿是三维 DRAM。三维 DRAM 采用垂直堆叠结构，电容排布方式完全不同，拥有一套全新的缩放逻辑，相比平面 4F² 拥有更大的迭代空间。

同时也要看到，美光的选择并不代表全行业共识。根据 TechInsights 信息，三星、SK 海力士的技术路线图依旧保留了 4F² 的规划。 美光一向敢于做出和行业主流不同的选择，此前它就曾延后导入 EUV，和三星、SK 海力士的节奏拉开差距，并且依旧维持不错的成本与产品竞争力，所以这次放弃跟进 4F²，也符合它一贯的技术决策风格。一边是长鑫率先拿下 4F² 架构关键突破，一边是美光二十年持续研究之后主动放弃这条路线，两种选择背后，是存储厂商对 DRAM 未来截然不同的判断。

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