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10月26日，据韩国媒体ZDNet Korea报道称，三星电子与SK海力士已确定将从明年第二季度起，正式量产出货面向英伟达的第六代高带宽内存（HBM4）8层产品。这一调整的直接原因，是英伟达为管控发热与保障供应链稳定，改变了下一代AI加速器的HBM堆叠结构与供需策略。
目前，三星电子与SK海力士这两家韩系存储芯片大厂的主力HBM量产产品是HBM4 12层。按原计划，英伟达明年将推出的下一代AI加速器“Rubin Ultra”将搭载第七代HBM4E 12层产品。但最新的消息显示，英伟达正评估在该芯片上并行搭载HBM4 8层与HBM4E 8层方案，原因在于HBM4及HBM4E的12层堆叠结构出现发热加剧、良率下降等问题，已引发供应瓶颈。
一位知情人士向ZDNet Korea表示，英伟达将根据Rubin Ultra所对应的“NVL”机架规模，并行搭载HBM4 8层与HBM4E 8层产品；今年仍以HBM4 12层为主，但从明年年中起，8层产品的比重将大幅扩大。面向英伟达的HBM4 8层原本不在供应计划之内，相关讨论从今年第三季度起才正式展开。
三星与SK海力士两家公司正为明年扩大HBM4 8层出货量做足准备，包括8层产品所需的零部件与材料采购，以及质量测试。报道指出，两家公司已完成与英伟达的HBM4 12层认证，但8层产品需另行认证，具体出货目标时点锁定在明年第二季度前后。
另一位知情人士称，此前曾有观测认为，凭借韩国存储企业的前期准备，HBM4 8层原本有望从今年下半年起供货，但最终日程有所推迟；不过8层认证较12层更为容易，出现额外变数的可能性较低。
从竞争格局看，韩系HBM双雄在英伟达供应链中的较量，将从层数与制程竞赛延伸至8层产品的量产爬坡与良率控制。对三星而言，若能在明年Q2按节点稳定供货英伟达HBM4 8层，将为其在HBM4世代争取更有利的身位；SK海力士则需在维持12层产品优势的同时，妥善分配8层版本的产能。
编辑：芯智讯-林子
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