国产半导体设备出海，再次迎来新的催化剂

8月5日早盘交易时间，路透社报道称，韩国三星电子和SK海力士正在评估中国中微半导体的半导体制造设备，考虑将其用于旗下中国工厂，以对冲美国加强出口管制收紧的风险。目前三星电子和SK海力士在中国的工厂严重依赖应用材料、拉姆研究（泛林）等美国公司供应的刻蚀设备。

图片说明：三星电子、SK海力士测试中国半导体设备，以对冲美国风险，数据来源于路透社

半导体设备行业在经历7月份惨烈的杀估值后，昨日受该消息刺激，整体迎来强势反弹，其中中微公司(688012.SH)、拓荆科技(688072.SH)等领涨，北方华创(002371.SZ)、华海清科(688120.SH)等跟涨，半导体设备ETF全天维持强势，收盘接近涨停。

图片说明：8月5日半导体设备ETF接近涨停收盘，数据来源于Wind

国产半导体设备出海的新催化剂

在过去，当谈到国产半导体出海，核心逻辑聚焦于外溢需求。

一方面，是AI需求带动海外晶圆厂大幅扩张，尤其是HBM、DRAM、NAND等内存和外存晶圆厂的大幅扩张，对半导体设备起到了跳跃式拉动。例如NAND对刻蚀设备需求极高，3D NAND层数越高（从128层→236层→286层），对刻蚀设备的需求呈指数级增长（对光刻设备的需求相对较低）。

图片说明：海外主要存储巨头资本开支及中长期投资规划，数据来源于中信建投证券

另一方面，是海外半导体设备巨头的产能不足，导致半导体设备交期显著拉长，进而出现设备涨价、加急费等现象。例如全球刻蚀设备巨头东京电子，针对客户要求缩短交付时间的加急订单，开始加收高额的加急服务费。

图片说明：海外半导体设备交付周期拉长至12~24个月，数据来源于国金证券

当海外半导体设备巨头的供给，远远无法满足海外晶圆厂的需求时，需求开始外溢，国产半导体设备企业，迎来了可遇不可求的历史性出海窗口期。

以盛美上海(688082.SH)为例，2025年公司海外收入仅0.41亿人民币，占总营收比例仅0.6%。但公司在6月18日公告的调研纪要中，非常有信心的表示海外长期营收目标将达16亿美元，占总营收比例为40%，远期出海成长空间高达300倍。

图片说明：盛美上海出海目标，数据来源于盛美上海

本次国产半导体出海的新催化剂在于：美国搬石头砸了自己的脚。

根据路透社报道，美国商务部2023年将三星电子和SK海力士在中国的工厂列为“经认证终端用户”（VEU），允许两家公司在无需单独获得许可的情况下进口受管制的半导体设备，但2025年又取消了VEU授权，改为发放年度许可证，两家企业担心美国出口管制持续或升级，未来中国工厂的美制设备可能面临维修、更新或替换的阻碍。

事实上，如果国产半导体设备企业能够借此催化剂，获得三星电子或SK海力士的认可，将是最强有力的顶级背书。若中微公司的设备在三星电子或海力士的中国工厂跑通，示范效应可能进一步向其在韩国本土或全球其他工厂扩散，加速验证国产设备厂商的其他配套设备。这种“认证-导入-扩散”的路径一旦走通，将打开系统性出海通道。

换句话说，一旦国产设备跑通，其估值天花板将从“国产替代”叙事切换到“全球竞争”叙事，而这在技术上已经不再是不可逾越的天堑，缺的正是这样一个验证和背书窗口期。

图片说明：中微公司创始人关于国产刻蚀设备的表述，数据来源于中国商人杂志

刻蚀设备在国内市场的潜在出海空间

更具体地，不考虑示范效应，可以简单测算刻蚀设备在三星电子和SK海力士中国工厂的潜在出海空间。

根据环球时报引用相关数据，2025年三星和海力士2025年在华投资合计约1.5万亿韩元（约10亿美元），其中三星西安NAND厂投资3亿美元、海力士无锡DRAM厂投资约4亿美元、海力士大连NAND厂投资约3亿美元。

图片说明：三星和海力士在国内工厂的投资情况，数据来源于环球时报

不考虑上述三个工厂的存量设备替换需求，仅考虑增量扩产设备需求，按照设备投资通常占晶圆厂总CAPEX的75%左右折算，则这三个工厂的半导体设备需求约7.5亿美元。

考虑到刻蚀设备是存储晶圆厂的第一大资本开支，在3D NAND产线中占比约30%~35%，在DRAM产线中占比约20%~25%，可以简单假设刻蚀设备在全部设备中的占比约25%。

由此，三星和海力士在中国的三个工厂，刻蚀设备的增量需求约7.5 × 25% = 2亿美元左右（不含存量刻蚀设备更新需求）。相比于中微公司2025年约3亿人民币的非大陆地区营业收入，潜在的空间还是相当可观的。

图片说明：中微公司2025年非中国大陆地区营业收入约3.26亿元，数据来源于中微公司