广东
当地时间8月27日，根据日经新闻报道，日本NAND Flash大厂铠侠（Kioxia）将投资超过1万亿日元（约62.7亿美元），在其位于岩手县北上市的生产基地内兴建一座新的NAND Flash晶圆厂。
由于人工智能（AI）的普及带动数据中心对高性能存储芯片的需求激增，铠侠希望通过此次增产投资，加快其高性能产品的产能布局。
报道指出，这座规划中的新厂将是铠侠在北上工厂的第3座厂房（K3），将主要用于生产铠侠最新的高密度3D NAND Flash芯片，以应对AI服务产生的大规模数据工作负载。
铠侠将与美国同业SanDisk（闪迪） 共同投资此项目。这一投资也与日本政府推动国内半导体生产的政策方向一致。铠侠高层计划在8月27日访问日本首相官邸，正式对外宣布这一新厂兴建计划。
目前，铠侠已开始与部分半导体设备制造商接洽采购事宜，并且预计这一大规模投资项目将获得日本经济产业省的补贴。
此次投资是铠侠为应对全球NAND Flash市场竞争所采取的重要举措。按金额计算，铠侠目前是全球第三大NAND Flash厂商，仅次于韩国的三星电子和SK海力士。面对两家韩国竞争对手此前宣布的巨额投资计划，铠侠的这一步行动被视为其保持竞争力的关键。
值得一提的是，铠侠已于上月开始了其第十代BiCS Flash堆叠式NAND Flash的出货。
编辑：芯智讯-林子
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