湖南
（沃格光电董事长张芙嘉接受DIGITIMES专访表示，投入约人民币10亿元建设TGV产线，2027年预计放量。李建标摄）
AI 推动先进封装与光通信快速发展，玻璃基板技术由显示面板延伸至半导体产业，中国沃格光电近年转型跨入半导体领域，并具备玻璃通孔（TGV）月产能达1万片（510×515mm 面板级尺寸）的量产能力，已在 Micro/Mini LED 直显领域完成小量出货验证，DIGITIMES 专访江西沃格光电董事长张芙嘉，进一步探询中国玻璃基板技术进展。
张芙嘉表示，光模块将成为下一个快速放量的动能，尤其近封装光学（NPO）技术路径清晰，搭配中国光通信产业集中等优势，2027年底可望导入量产出货，共同封装光学（CPO）预估将于2029~2030年量产，未来进一步瞄准AI芯片成长商机。
张芙嘉在接受DIGITIMES专访时指出，业界目前对TGV的认知多半停留在“玻璃打孔”。
但事实上，在先进封装应用中，打孔仅是基础，更核心的制程在于微孔金属化处理（填铜导通）、表面金属线路制作，以及后续设计玻璃基板与ABF载板、AI先进封装中对于硅电容或主被动元件的结构互联整合。
对于半导体供应，沃格定位为具备整合能力的玻璃基板制造商，结合了玻璃精密加工、通孔金属化及部分表面线路能力。张芙嘉表示：“真正比拼功力高下的关键，在于金属化可支撑的能力。”
由于玻璃与金属在后段加工的真空压合与热循环中，极易受到热压力不均造成裂损，目前沃格核心专利并非在制程手法，而是专注于孔壁金属化的材料结构与物理气相沉积（PVD）结合层，来确保基板具备足够的抗应力强度。
沃格在美国硅谷设立专业对接团队，直接对接美系IC设计公司与封装架构团队，参与前期在玻璃基板与封装结构的定制化设计。张芙嘉指出，目前AI芯片高阶载板的研发与规格制定，客户主要分为两大国际主流阵营，分别是 NVIDIA Rubin 为代表的多芯片架构，其二是英特尔（Intel）的EMIB，采取嵌入式多核心互连桥接的架构。
目前沃格的TGV技术，已率先导入显示领域，主要用于取代传统FR4 PCB载板，生产Mini LED 直显背板，以及大尺寸显示 Micro LED微型封装基板（Micro LED In Package；MIP），预计2027年进入规模化量产。前者主要交货给中系LED显示器大厂，提供COG（Chip On Glass）方案，采用PM矩阵驱动，后者将供应给两岸主要LED光电业者。
至于先进封装与半导体领域处于验证设计阶段，虽然单纯的玻璃打孔技术本身已具备量产条件，但半导体芯片端的产品设计尚未完全定型，仍需等待整体产业成熟。
张芙嘉透露，日前在SEMICON Taiwan 2026期间与多家台系半导体业者接洽合作，沃格的策略是在AI芯片先进封装领域，不直接投入高层数ABF载板，主要是AI芯片对品质管控与层数要求严格，将与载板业者保持紧密合作，但具体合作对象不便透露。
至于光模块的ABF载板线路较简单，可在光模块处理1~2层ABF线路，因此会直接完成，节省客户对接的时间。
在产能规划部分，以4层线路（1+2+1 结构）的TGV计算，月产能达到1万片规模，其规格以510×515mm面板级尺寸为主，换算面积约2,000~3,000平方米。
张芙嘉表示，沃格已投入近10 亿元人民币进行产能建设，后续扩产将视产业发酵速度，由于光通信与AI半导体的产业要求不同，设备投资也会出现分野，目前看好光模块将更快进入量产。
相较于传统光模块不需使用玻璃基板，沃格规划将先切入NPO供应链，由于制程相对容易、技术路线明确，目前中国在光通信产业的发展规模集中，有利于新制程技术导入，预计2027年底进入量产阶段。
由于CPO需将光学元件与AI芯片进行高度共同封装，结构极为复杂，且面临严苛的热管理与电源管理挑战，恐导致极高的芯片损坏成本，预估CPO的真正规模化应用，将推迟至2029~2030年，但光模块产能将会提前建设完成。随着AI芯片大厂的测试进度推进，预计将在2028年转向至AI芯片的大规模投资，看好玻璃基板的发展潜力，将快速扩大至AI算力芯片及光通信领域。（文章转载自DIGITIMES）
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