浙江
全球存储芯片巨头正在争夺下一代技术的主动权，中国厂商也传来了新进展。
近日，国产存储芯片厂商长鑫存储宣布，在新型“4F²”存储单元架构上取得关键进展，并计划在2026年底前推出基于这一结构的新型服务器内存产品。值得注意的是，三星电子、SK海力士等国际巨头也在研究这项技术。
为什么大家都盯上了4F²？说白了，就是想让一块芯片装下更多数据。
可以把存储芯片想象成一间房子，存储单元就是里面一个个存放数据的小格子。格子占地越小，同样的空间里就能放下更多格子，存储密度也就有望提高。
目前，主流DRAM普遍采用6F²结构，而长鑫存储研发的4F²结构，理论上可以将单个存储单元的面积缩小约三分之一。别看少了两个数字，背后却涉及晶体管结构和制造工艺的重大变化。
随着AI发展，数据中心对内存的需求持续增长，提高存储密度也成为行业关注的方向。
不过，这项技术要真正落地并不容易。由于新结构无法直接适配现有制造流程，长鑫存储需要重新设计关键工艺，以优化能效比。也就是说，研发取得进展只是第一步，后续如何将新结构转化为成熟的制造工艺，仍有待进一步验证。
而且，长鑫存储并不是唯一盯上这项技术的厂商。SK海力士已经公布相关技术路线图，韩国媒体此前也报道称，三星计划在2028年前基于这一设计量产10纳米以下DRAM产品。
除了4F²架构，长鑫存储近期还有其他动作。公司第五代DRAM制造平台G5已进入量产阶段，同时计划在今年年底前推出新一代DDR5 RDIMM服务器内存。
当然，研发取得进展并不意味着技术已经成熟。4F²架构能否顺利量产，实际性能和制造成本表现如何，仍有待后续验证。
对于长鑫存储来说，接下来的关键不仅是取得研发进展，更是推动新架构走向实际应用。随着三星、SK海力士等厂商也在推进相关技术，后续谁能率先实现量产，将成为值得关注的焦点。
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