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DDR4内存三个月涨价24%,科创半导体ETF华夏(588170)近10日“吸金”超40亿元

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截至2026年10月13日10:36,A股三大指数集体下跌,上证指数跌1.08%,深证成指跌2.03%,创业板指跌2.52%。

科创芯片板块震荡回调,科创半导体ETF华夏(588170)盘中震荡走低,成交额27.86亿元,稳居同类第一,成分股方面涨跌互现,拓荆科技领涨1.44%,强一股份上涨1.11%;微导纳米领跌11.37%,神工股份下跌5.28%,华海诚科下跌4.73%,晶升股份下跌4.70%,龙图光罩下跌4.64%。

跟踪精度方面,截至2026年10月12日,科创半导体ETF华夏(588170.SH)近3个月跟踪误差为0.012%,在同类产品中跟踪精度领先。

资金流入方面,截至2026年10月12日,科创半导体ETF华夏(588170.SH)近10个交易日内,有6个交易日获资金净流入,合计“吸金”40.42亿元。

据巴克莱最新报告,10月份DDR5内存现货价格环比上涨8%,三个月内上涨20%;上一代的DDR4则环比上涨4%,但三个月内涨幅达到24%。

科创半导体ETF华夏(588170.SH):及其联接基金(A类:024417;C类:024418),跟踪指数为上证科创板半导体材料设备指数,其中存储芯片含量超80%,长鑫存储概念含量55%,先进封装含量超67%,聚焦于科技创新前沿的硬核设备公司。

数据来源:Wind,截至2026年10月12日。上证科创板半导体材料设备主题指数表现:指数近5年(2021-2025)完整会计年度业绩为:-5.14%、-25.65%、14.99%、-0.13%、58.42%;指数历史业绩不预示基金产品未来表现。基金有风险,投资须谨慎。提及个股仅用于行业事件分析,不构成任何个股推荐或投资建议。ETF为场内交易型指数基金,二级市场价格存在折溢价与流动性风险,基金表现与跟踪指数可能存在跟踪误差,过往业绩不代表未来收益。

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