芯片设备，被抢疯了

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SEMI日前发布的最新《300毫米晶圆厂展望》报告预测，2026年全球300毫米前端晶圆厂设备支出预计将达到1490亿美元，同比增长31%。预计到2029年，投资将继续以两位数的速度增长，达到2270亿美元。

强劲的投资势头伴随着大量新建的300毫米晶圆厂和生产线陆续开工建设并投入运营。除纯研发晶圆厂外，SEMI预计2026年全球将有20座新的300毫米晶圆厂或生产线开工建设，2027年将有18座开工建设。在美国，预计2026年将有3座开工建设，2027年将有4座开工建设。

SEMI总裁兼首席执行官Ajit Manocha表示：“全球半导体行业的需求正日益转化为实体制造规模的扩张。最新预测显示，设备投资将持续增长，大量晶圆厂也将陆续投产。这种扩张将为人工智能、高性能计算以及各种下一代半导体应用提供必要的制造基础。”

预计到 2026 年，全球 300 毫米晶圆厂建设支出将增长 23% 至 475 亿美元，2027 年将再增长 33% 至 633 亿美元，2028 年将达到 684 亿美元。这一建设活动反映了对尖端逻辑、存储器和其他 300 毫米半导体技术的新制造能力的持续投资。

美国是此次扩张的重要组成部分，预计在预测期内将有更多300毫米晶圆厂和生产线开工建设。美洲地区的设备投资预计将从2026年的181亿美元增长到2029年的406亿美元，增幅超过一倍，这反映了该地区制造业规模的不断扩大。

SEMI 预计 2026 年将在全球范围内新建 13 座 300 毫米晶圆厂或生产线，开始运营或交付首批硅片，到 2027 年将增至 23 座。

SEMI 300mm 晶圆厂展望报告（2026 年第三季度版） 反映了 163 家晶圆厂和生产线的 166 项变化，其中包括自上一份报告以来新增的 14 项记录。

这波设备需求，有点不一样

半导体设备行业已经让投资者习惯了周期性波动。内存会积累，内存会修正；逻辑会扩张，逻辑会消化。过去三十年来，这种模式如此规律地重复出现，以至于它已成为一条不言而喻的公理：涨必跌，而谨慎的投资者会为价格回归均值做好准备。

这张图表右侧发生的事情是我们经常与业内人士和投资者进行的主要讨论之一。

如果这次的情况有所不同呢？至少会比许多人预期的持续更久。

晶圆制造设备市场正进入一个多年扩张阶段，这似乎标志着其结构性地突破了历史格局。这一强劲势头源于三大因素的叠加效应，这三大因素从根本上改变了半导体制造的经济格局。人工智能加速器供应的严格限制导致设备需求与晶圆产量脱钩，这对晶圆制造设备（WFE）行业的影响意义重大。

晶圆厂设备（WFE）厂商一直以来都在强调工艺技术的变革即将到来，即埃格斯特朗时代，以及这将如何改变对新设备的需求格局。例如，2nm节点向全环栅晶体管（GAA）和背面供电（BPD）的过渡，正以前所未有的方式大幅降低设备的复用率。之前的节点过渡——N7到N5，N5到N3——由于都是对同一FinFET架构的演进式改进，因此设备复用率保持在50%到70%之间。而N2节点的过渡则截然不同。它需要新的外延生长工艺、新的选择性刻蚀化学方法以及新的沉积配置，这使得现有设备在关键层方面大多过时。每5万片晶圆产能的资本密集度从N5节点的160亿美元上升到N2节点的近300亿美元。从很多方面来看，埃格斯特朗时代都催生了对全新半导体产能全面建设的需求。

内存市场内部人士也意识到了类似的情况，尽管其机制有所不同。高带宽内存（HBM）已成为人工智能硬件堆栈中最关键的瓶颈，而生产成本加剧了这一挑战。HBM3e 生产相同数量的比特所需的晶圆产能约为标准 DDR5 的三倍。今年开始量产的 HBM4 将这一比例提高到 4:1。在 2022 年至 2024 年期间，主要内存制造商在新建产能方面采取了极其保守的策略——资产负债表方面的担忧、需求的不确定性以及库存积压都是导致其抑制扩张的原因。随着人工智能需求信号的持续强劲以及 HBM 分配消耗了现有产能，这种保守策略正在发生转变。DRAM 比特增长速度正以智能手机时代以来前所未有的速度加快，与此同时，每比特的设备密集度也在上升。这种动态变化有利于设备需求的持续增长。

此外，NAND闪存也被市场普遍认为注定会败给云存储和流媒体。但我们看到情况正在发生变化。面向人工智能基础设施的企业级固态硬盘（SSD）正在推动需求复苏，预计到2027年，NAND闪存的市场份额将恢复到2019-2021年的水平。人工智能训练集群需要海量本地存储用于数据集暂存和检查点保存。推理部署则需要高性能闪存来进行模型加载和上下文缓存。每个人工智能服务器的存储强度是传统企业配置的3-5倍。企业需求是推动这一周期复苏的关键因素，而这又建立在市场基础的复苏之上。

正如我们在台积电报告中所述，封装瓶颈带来了全新的挑战。先进封装技术已取代前端光刻，成为人工智能加速器供应的主要制约因素。台积电正积极扩张CoWoS产能，目标是在2026年实现60%以上的增长，但随着下一代架构需要更大的中介层面积，供需缺口实际上可能会进一步扩大。受光刻掩模尺寸物理限制的影响，CoWoS-S向CoWoS-L的过渡正在迫使架构进行调整，从而降低晶圆级良率，并将产能限制的局面延续到未来十年。

为了深入了解该行业面临的每一项制约因素，我们已着手量化这些动态及其对有望从中受益的设备供应商的影响。分析表明，我们相信2026年和2027年市场将显著超出市场普遍预期，其增长潜力将创下WFE（晶圆级封装）市场历史上的最大规模扩张。那些受制于关键制约因素（如HBM生产、DRAM新建项目、先进封装和尖端逻辑电路）的公司，将有望从这一结构性转变中占据不成比例的份额。

埃时代改变了一切，理解其背后的原因对于把握半导体行业此次变革的特殊性至关重要。

（来源：内容来自半导体行业观察综合）

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今天是《半导体行业观察》为您分享的第4560期内容，欢迎关注。

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