湖北
近日，据坊间可靠消息来源披露，三星计划于2026年11月在美国得克萨斯州泰勒市启动第二座半导体晶圆厂（Taylor Fab 2）的建设，目标于2030年实现量产。该时间节点进一步细化了三星此前对外披露的年内启动建设的规划。
Fab 2的建筑面积约为270万平方英尺（约25.1万平方米），厂区建设规模约为首座泰勒晶圆厂Fab 1的1.5倍。三星奥斯汀半导体执行副总裁Jon Taylor据称在10月15日厂址周边举办的公开活动中表示，新厂建设计划于11月初启动。上述动工时间、厂房规模等信息均来自媒体报道，并非三星官方正式公告，项目实际落地进度仍有待持续跟踪确认。
首期项目奠基
今年7月，三星高管在财报电话会议上透露，其先进制程产能扩张速度仍难以匹配客户需求增长，同时市场客户针对下一代1.4纳米工艺的咨询量持续走高。不过，三星暂未对外披露Fab 2规划投产的具体工艺节点；市场对1.4纳米工艺关注度提升，并不代表这座工厂将确定采用该制程。
与此同时，首座泰勒晶圆厂Fab 1的建设与投产节奏持续受到行业关注。该厂最初设定投产目标为2024年，后续多次推迟投产时间表。目前Fab 1正分阶段推进设备与工艺验证工作，部分已完成安装的设备已开展工艺试运行。工厂规划采用极紫外光刻（EUV）技术，生产基于三星2纳米工艺的芯片，预计2026年底进入试运营阶段，2027年转入量产爬坡。
特斯拉是三星泰勒晶圆厂的核心客户之一，双方在2025年达成总金额约165.44亿美元、合同期限至2033年12月的半导体代工协议。特斯拉首席执行官马斯克此前确认，三星将为特斯拉代工下一代AI6芯片。
关于AI5芯片的生产计划，信息来源则更为有限。据科技媒体Electrek在2026年7月报道，三星代工部门一名首席工程师曾在领英平台发文称，特斯拉AI5芯片已完成流片，计划采用三星2纳米工艺在泰勒晶圆厂制造。
综上所述，相关信息仅为媒体报道与社交平台流出信息，不能视作三星官方确认的正式客户订单安排。至于AI5、AI6两款芯片之间的产能分配，以及两座泰勒晶圆厂各自对应的生产任务，目前尚无充足公开资料予以佐证，仅供参考，请读者谨慎对待。
在投资层面，三星计划在美国得克萨斯州中部累计投入超370亿美元，用于建设先进制程晶圆厂、配套研发设施，并对奥斯汀现有厂区进行扩建。依据三星官网公示材料，美国商务部已于2024年12月向三星批准最高47.45亿美元的直接资金支持。
但因首座泰勒晶圆厂投产进程曾出现显著延期，因此Fab 2能否如期在2030年达成量产目标，仍受施工进度、设备进场、工艺验证、良率爬坡、终端客户需求波动等多重变量制约。11月动工、2030年量产仅为当前规划目标，不代表最终一定落地。
总体来看，泰勒第二座晶圆厂的推进，体现了三星加快美国先进制程布局、争夺AI芯片代工市场的战略意图。但从动工到量产仍面临施工、设备调试、工艺验证及客户需求等多重考验。2030年能否如期量产，将成为检验三星先进制程竞争力与美国制造布局成效的重要指标。
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