北京
长鑫存储（CXMT）正加速扩大通用DRAM产能，计划在未来一年内新增超过10万片12英寸晶圆月产能，使总月产能从目前约32万片提升至42万片以上；到2028年，其月产能有望进一步达到50万至60万片。
这一扩产节奏背后，是全球存储市场正出现明显的结构性分化。受人工智能需求推动，三星电子、SK海力士和美光等全球头部存储厂商正将更多产能投入高带宽内存（HBM），导致面向智能手机、PC、服务器等领域的通用DRAM供给趋紧。长鑫存储当前重点仍放在标准DRAM产品领域，有望在通用内存市场补位，缓解消费电子行业面临的供应压力。
根据TrendForce与Counterpoint Research等机构的研究，长鑫存储2026年第二季度在全球DRAM市场营收占比已接近10%，稳居全球第四大DRAM供应商。随着上海临港新厂、合肥扩建项目及北京基地持续建设，公司产能扩张路径逐步清晰：2026年底月产能预计提升至35万片左右，2027年突破42万片，2028年底冲击50万片，远期目标为60万片/月。
业内分析认为，若长鑫存储按计划完成扩产，其将成为全球通用DRAM市场中越来越重要的供应力量。在国际存储厂商持续向AI和HBM领域倾斜资源的背景下，长鑫新增产能或将显著缓解PC、智能手机及其他消费电子设备制造商面临的采购成本上升和供应紧张问题。
目前，长鑫存储已实现DDR5、LPDDR5X等产品规模化量产，LPDDR6也已进入量产筹备阶段；HBM方面，HBM3样品已交付客户测试，上海新厂将承担HBM等高端产品产能。不过，存储行业仍具有较强周期性，若全球头部厂商后续重新加大通用DRAM产能投入，或HBM供需格局发生变化，长鑫的扩产节奏和市场表现仍可能受到影响。
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