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10月30日消息，欧盟委员会近日正式批准向英飞凌提供3.19亿欧元国家补贴，用于在奥地利菲拉赫工厂建设全球首座300mm氮化镓功率半导体大规模量产线。
该项目总投资约11亿欧元，计划2027年底前产出首批产品。
氮化镓被视为硅在功率电子领域的替代方案。相比传统硅器件，GaN功率晶体管能在更高开关频率下以更低损耗运行，使电源和电压转换器做得更紧凑、更高效。在AI算力功耗持续攀升的背景下，这一特性正变得至关重要。
晶圆尺寸升级是降本的关键。此前GaN功率半导体主要在200mm晶圆上制造，英飞凌在2024年率先跑通了300mm GaN晶圆加工。300mm晶圆面积是200mm的2.25倍，单片可产出的芯片数量达到约2.3倍，单位芯片成本有望显著下降。
技术迁移到量产并不轻松。英飞凌计划利用菲拉赫现有洁净室空间和基础设施进行改造，而不是新建厂房。更大的晶圆面积本身不自动保证低成本，晶体质量、缺陷密度和工艺均匀性才是新材料量产的核心门槛。
AI数据中心是这套产能的首要落点。英飞凌CEO哈内贝克明确表示，300mm大规模量产将扩大GaN在功率电子中的使用范围。
该公司同时正在为英伟达800V AI数据中心架构开发GaN功率转换方案，机架功耗向兆瓦级迈进时，供电效率直接决定算力上限。
从200mm到300mm，GaN功率半导体第一次走出实验室规模，进入真正的工业量产轨道。欧盟用3.19亿欧元补贴押注的，不只是一条产线，而是AI时代电力转换效率的底层话语权。
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