吉林
快科技11月2日消息，随着AI芯片对先进封装的需求持续攀升，台积电CoWoS的供应限制正促使部分芯片设计厂商将目光转向英特尔的EMIB-T先进封装技术。
虽然台积电CoWoS与英特尔EMIB同属2.5D先进封装范畴，但两者互连架构截然不同。CoWoS依赖大面积硅中介层（Interposer）承载多颗运算芯片与HBM，提供高密度互连。
EMIB则在有机封装载板内嵌入小型硅桥，仅在需要高速互连的局部区域实现芯片间连接，无需整片硅中介层。EMIB-T在此基础上引入硅通孔（TSV），使电流可直接穿过硅桥垂直供电，缩短供电路径。
英特尔在ECTC 2026上披露的EMIB-T关键指标包括：第一层互连凸点间距缩小至25μm，封装尺寸扩展至120 x 120mm，单封装集成超过9倍光罩面积的计算与存储芯片，HBM4e传输速率超过12Gb/s，UCIe接口达64Gb/s。
英特尔在IEEE论文中进一步指出，EMIB技术自2017年量产以来已在面板级（510mm×515mm）生产，理论上可支持240mm×240mm封装尺寸，等效硅面积超过40个光罩。
台积电先进封装技术暨服务副总经理何军此前在OCP APAC峰会上透露，5.5倍光罩尺寸CoWoS已实现量产，硅中介层加工及键合良率在多家AI客户产品上稳定在98%以上。
台积电规划2028年量产14倍光罩版本，2029年前落地大于14倍光罩方案，可容纳10颗以上计算芯粒与20组以上HBM堆叠。
然而，良率突破并未消除交付瓶颈。何军指出，受制于HBM与ABF载板供应紧缺，整体交付依然存在缺口。这一判断与Prismark演讲中关于供应链约束影响市场动态的主题相呼应。
从技术特性看，EMIB-T与CoWoS的适用场景存在差异。CoWoS的大面积硅中介层适合需要极高互连密度与带宽的旗舰AI加速器；EMIB-T的局部硅桥架构在成本与封装尺寸灵活性上具有优势，但互连密度受限于桥接区域。
英特尔在ECTC 2026上展示的EMIB-T能力已覆盖HBM4e集成，表明其正从“成本替代”向“性能竞争者”演进。
值得注意的是，台积电自身也在推进CoWoS-L等新架构，以应对大封装尺寸下的翘曲与良率挑战。先进封装的竞争格局并非简单的路线替代，而更可能形成按芯片类型与性能需求分层的市场结构。
无论是CoWoS还是EMIB-T路线，AI芯片的封装交付最终都受制于载板、HBM等上游环节的产能节奏。封装技术路线的竞争，实质上是在争夺有限供应链资源下的最优配置方案。
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