先封锁18nm及以下存储芯片设备，后封锁浸润式DUV光刻机，最后发现根本没卡住中国芯片发展

前沿导读

2022年，美国发布针对中国半导体产业三大核心领域的出口管制政策，要求对制造18nm及以下内存芯片、128层及以上闪存芯片、14nm及以下逻辑芯片所需的设备实施出口管制，这一波压制相当于切断了中国存储芯片和逻辑芯片依靠外部设备提升竞争力的机会。

随后美国又开始针对光刻机这种通用制造设备进一步实施限制，对中国两家大型的存储芯片制造商、两家大型的晶圆制造商，外加上一家中国老牌的科技巨头实施全面出口管制，禁止ASML向其继续销售浸润式DUV光刻机，并且要求ASML停止对其现有设备的维护工作。

这种限制措施看似将中国芯片产业打入谷底，实际上却推高了中国芯片的技术发展速度。

技术加速

据媒体报道指出，长鑫存储的LPDDR6内存技术已经进入研发验证的尾声，有望在今年实现量产。该内存技术的规格速率为12800 Mbps，颗粒容量16GB，相较LPDDR5有着明显技术升级。长鑫存储LPDDR6内存的技术推进，将会进一步缩短中国内存产业与美韩企业之间的差距。

今年1月份，三星在CES（国际消费类电子产品展会）上首发了旗下最新的LPDDR6内存产品，该内存相比现在的LPDDR5X降低发热，提升能效，适用于ai计算系统的需求。虽然三星在展会上对新内存进行了展览，但官方并未透露预计的量产时间。

美光则是在会议上表示将会把现在的LPDDR5内存逐步过渡到LPDDR6，但是并未透露LPDDR6的技术进展和预计量产时间。

而技术进度最快的则是韩国SK海力士，SK海力士在今年3月宣布完成LPDDR6的开发验证工作，计划上半年进行量产，下半年开始交付终端客户。

在内存芯片的技术进度上面，中国企业不但追上了国际老牌巨头，甚至还隐隐有些与其并驾齐驱的姿态。

全球内存产业常年被三星、SK海力士、美光这三家巨头瓜分，这三家企业也拥有强大的产品定价权，后来者想要打开这个市场非常难。

并且韩国存储企业最擅长的发展思路就是“逆势投资”，在产业较为低迷的时候砸钱扩充产品、开发新技术。一旦市场需求回暖，韩国企业将会在产能、技术水平等多个方面占据优势，其他竞争对手无力应对来自韩国企业强大的芯片竞争力，只能被迫走向倒闭或者被收购。

德国奇梦达、日本尔必达都是受到了这种“逆势投资”的影响，最终宣告破产。

而如今存储市场的需求旺盛，三大存储巨头将产能大部分转移到制造ai产业所需的高带宽内存（HBM），这让消费级普通内存的市场缺口增大，给了中国存储企业一个市场发展的机会。

抓住机会

存储芯片的制造与逻辑芯片不同，消费级存储芯片并不太依赖尖端的EUV光刻机，主流的方法就是使用浸润式DUV光刻机通过多重图案化技术进行制造。只有存储速率较强的HBM芯片，依赖于EUV光刻机制造内部的核心关键层，除此之外只需要DUV光刻机足矣。

长鑫存储在资本层面的表现亮眼，这不仅仅代表了长鑫存储获得了市场认可，更是让中国半导体产业进入到一个更加深度的协同发展当中。

据媒体报道指出，作为全球第四、国内第一的内存芯片厂商，长鑫存储正在向更加高端的市场进行拓展。

国产超节点系统是中国ai产业重点推进的技术项目，超节点需要大量的国产算力芯片，同时也需要大量的存储芯片。此前标配的方案大多是以SK海力士、三星为主，现在已经开始根据客户需求进行国产内存的适配。作为中国内存的“明星企业”，长鑫存储首当其冲。

除此之外，大量本土供应链企业也正在与长鑫存储进行战略配售。

据《21世纪经济报》指出，中微公司、澜起科技、安集科技、通富微电、西安奕材、拓荆科技、屹唐股份、沪硅产业这八家与长鑫存储有关联的公司格外引人注目。这八家企业基本覆盖了内存生产的全套流程，从上游的材料，到刻蚀、沉积等制造设备，再到内存接口和封装测试。

中国半导体产业已经不是在单打独斗了，而是大家“抱团推进”。

目前为止，西方国家对中国半导体的打压依然还是老一套的方案：针对特定的中国企业实施先进制造设备的出口管制。

可以说整个先进制造产业链的设备，几乎都被美国封锁了一大圈，但是这么多年的封锁下来，中国芯片产业并没有被打垮，反而越来越强。此前被“卡脖子”的制造设备环节也实现了部分设备的国产化替代，只剩下光刻机这一个难点了。