订单拿到手软，ASML要生产超110台EUV光刻机

公司上调2026年全年营收指引至430亿-450亿欧元。

近日，全球光刻机领军企业ASML正式启动荷兰埃因霍温北智慧港工业园区（BIC North）建设工程，举行动土典礼。荷兰首相罗布·耶滕及政府、产业链上下游企业、科研机构代表悉数出席，该项目也是ASML在当地布局的第二座大型工业园区，标志着公司全面加码产能，承接AI时代爆发式芯片需求。

据悉，新园区总占地面积约35万平方米，采用分阶段开发模式，远期满负荷状态下可容纳2万名员工入驻。项目第一阶段工程预计2029年完工，届时将至少入驻3000名员工，集生产、物流、办公功能于一体。园区将落地ASML全新研发的“流动工厂”（Flow Factory）制造模式，专为TWINSCAN工厂打造，依托模块化架构，实现光刻机生产、组装、调试的提速增效，支撑更大规模、更高效率的量产交付。

ASML首席执行官傅恪礼（Christophe Fouquet）公开表示，全球半导体产业需求持续攀升，尤其是AI算力芯片、先进存储芯片的刚需持续扩容，BIC North新园区将为公司持续技术创新、服务全球客户提供充足的空间与运营灵活性，是公司长期深耕先进光刻领域、匹配行业增长的核心布局。

相较于新园区落地，ASML释放的行业需求信号更受资本市场与产业链关注。ASML首席财务官Roger Dassen直言，AI热潮已经扭转全球芯片厂商的采购心态，行业需求热度远超市场预期。他透露，当前下游大客户普遍处于“抢设备”状态，纷纷主动加急采购、追加订单，设备交付节奏成为客户核心诉求。

火爆的市场需求直观体现在订单数据上。据其7月财报电话会披露，ASML核心的EUV光刻机产能已近乎全数预订至2027年，2028年也已斩获大量确定性EUV设备订单，超长周期的高确定性订单在半导体设备行业极为罕见。该公司7月时曾表示，其2026年低数值孔径EUV光刻机的产能约为65台，计划在明年将产能提高30%，后年再提高30%。针对市场关于AI热潮退潮的担忧，傅恪礼明确表态：“我不认为AI热潮已经走到尽头”，为先进光刻设备赛道注入强心剂。

此前饱受性价比争议的下一代High NA EUV设备，如今已实现行业共识落地，获得全球主流芯片厂商的坚定采购承诺，摆脱市场质疑。据了解，High NA EUV可实现较标准EUV缩小40%的电路制程，支撑2nm及以下极致先进工艺，但单台设备售价高达4亿美元，是普通EUV的两倍，此前台积电等厂商曾对其投入价值持观望态度。摩根大通分析师在会见阿斯麦首席财务官后表示，由于人工智能需求仍然非常强劲，阿斯麦正在研究如何在2028年生产超过110台EUV（极紫外光刻）芯片制造设备。

目前，全球头部企业已全面落地相关技术布局。英特尔作为首个规模化采用厂商，已实现技术量产落地，其High NA EUV设备累计处理晶圆超135万片，成功应用于Intel 18A制程Panther Lake处理器核心层量产，设备精度、吞吐量及稳定性均达标。台积电调整此前观望态度，明确将从2030年起在A10节点规模化导入High NA EUV技术；三星、SK海力士更是提速布局，计划2028年将该技术落地DRAM量产，大幅早于市场此前预期，美光也已完成设备订购，静待投产时机。

ASML高管解读称，存储芯片尺寸更小，High NA EUV技术落地门槛更低，因此存储厂商布局更为激进，目前全球所有主流芯片企业均已明确High NA EUV量产推进计划，行业技术路线高度统一。

产能与性能层面，截至2026年7月中旬，全球High NA EUV系统累计曝光晶圆突破135万片。最新认证的EXE:5200B设备吞吐量达每小时135片晶圆，较上一代产品提升35%。全球已有10台设备装机投产，3台设备处于出货装机阶段，机台可用率已提升至84%，预计2026年底可达90%，后续将冲刺93%的稳定运行目标。多家机构上调行业预期，美银预测2026-2030年High NA EUV出货量将持续攀升，2030年有望达到20台，行业确定性持续增强。

为释放High NA EUV设备产能，ASML联合台积电重磅推出行业革新计划，牵头成立“大尺寸光罩联盟”，推动半导体行业沿用数十年的6英寸标准光罩向12英寸大尺寸光罩迭代升级。

当前6英寸光罩适配下，High NA EUV单次曝光面积仅为传统EUV的一半，英伟达、谷歌等企业设计的大尺寸AI芯片需二次曝光拼接，不仅降低生产效率，还易引发接缝良率风险。而12英寸光罩落地后，可实现大尺寸芯片单次完整曝光，消除拼接工序，大幅提升产品良率、降低生产成本，预计将带动设备生产效率提升40%。

按照双方公布的技术路线图，行业将在2031年前建成12英寸光罩试产线，2033年前实现量产落地；过渡期内，台积电将从2030年起依托现有6英寸光罩，先行导入High NA EUV技术衔接先进制程迭代。ASML首席技术官马尔科·彼得斯评价，12英寸光罩革新是半导体先进光刻领域的重大机遇，将全面激活High NA EUV设备的产能潜力。

行业数据显示，ASML的垄断地位难以撼动。摩根大通统计数据指出，2025年ASML占据全球光刻机市场94%的份额，其中EUV领域无任何商业竞争对手，尼康、佳能及国内厂商仅布局DUV设备赛道。

为承接持续爆发的市场需求，ASML全力提速产能建设，将EUV设备建造周期从22周压缩至15-16周，同时计划2027年将Low-NA EUV及浸没式DUV设备产能提升30%，并进一步研究2028年再度扩容30%的可行性。需求高景气下，公司上调2026年全年营收指引至430亿-450亿欧元，业绩增长确定性十足。

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