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近日，英特尔公布了一项2022年提交的技术专利。该专利披露了一种集成Micro LED的IC封装结构：半导体裸片内嵌于玻璃基板之中，玻璃基板内的TGV（玻璃通孔）直接为裸片上的Micro LED供电，再经封装基板连接主板。
图片来源：patentsgazette
根据专利描述，这些Micro LED可采用纳米线结构，能分别发出红、绿、蓝三色光，用途包括DIY电子产品的个性化装饰、封装内部的电性测试指示，以及可在CPU表面呈现发光字样，为芯片增添功能指示与美学卖点。
制造流程上，先在玻璃基板上以激光诱导加化学蚀刻形成通孔与裸片腔体，再经电镀填充铜形成TGV，随后将带Micro LED的裸片嵌入腔体，两侧以氮化硅层粘合聚合物封装基板，完成信号与供电的垂直互连。专利还给出了裸片横置、纵置以及加装反射镜等多种结构变体。
值得注意的是，英特尔长期对玻璃基板技术进行投入布局。英特尔自2013年起研究以玻璃替代有机基板，累计积累了大量专利，并于2023年率先发布玻璃基板样品。
今年其商业化明显提速：1月在NEPCON Japan展出“厚玻璃芯+EMIB”工程样品，实现约78×77毫米大尺寸封装无微裂纹切割；6月的ECTC 2026上，英特尔公布玻璃芯基板量产级技术验证，完成从通孔制备、金属化、多层布线到光电融合的全流程贯通，其无缺陷24层结构及翘曲控制数据成为行业焦点。
生态合作也在铺开，今年7月，蓝思科技全资子公司与英特尔签署合作备忘录，将TGV先进封装列为合作重点。
英特尔输出架构信息、DFM指南与验证方法，蓝思承担穿孔成型、高精度激光加工、金属化沉积与多层互连布线，其百万级通孔0ppm不通率样品已送样北美与韩国客户验证。
此外，今年5月，英特尔还联手美国半导体技术公司3DGS在印度推进约33亿美元的玻璃基板工厂，规划年产能约为7万片玻璃基板、5000万个组装单元，以及近1.3万个先进3D异构集成模块，面向AI芯片、高性能计算的大尺寸、高密度封装需求，项目预计2028~2030年实现规模化出货。
LEDinside整理
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