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2026年10月14日,IBM宣布,将联合西门子开展合作研究,共同推进IBM纳米堆叠(Nanostack)晶体管架构的研发。
纳米堆叠是IBM于2026年6月公布的一种新型晶体管架构。本次合作将整合IBM在半导体器件创新领域的技术积累,以及西门子在电子设计自动化(EDA)、工艺仿真、光刻优化与先进制造软件方面的专业能力,共同攻克支撑该架构落地所需的器件设计、仿真与先进制造核心技术。
据IBM介绍,纳米堆叠是业内已知首个基于纳米片的三维晶体管架构。该架构通过将晶体管垂直堆叠并交错排布,提升单位芯片面积内可集成的晶体管数量。在当前7埃(0.7纳米)节点下,IBM称,指甲盖大小的硅片面积可容纳近1000亿个晶体管。
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该架构还支持在不同堆叠层采用差异化材料组合,独立优化每一层晶体管的性能与功耗表现。IBM表示,这些设计创新有望在芯片能效、运算性能及静态随机存取存储器(SRAM)的微缩能力方面带来显著提升。
在今年早些时候,IBM已经在实验室验证纳米堆叠架构的技术可行性。不过,架构可行性得到验证,并不意味着技术已具备规模化量产条件。IBM指出,要推动这项技术进入制造和规模化生产阶段,仍需进一步完善相关设计、仿真与制造技术。
双方将依托本次合作,研发适配当前7埃节点及下一代纳米堆叠架构所需的设计、仿真与光刻技术。合作内容包括搭建先进的纳米堆叠虚拟模型,以便在芯片实体制造前开展性能建模与仿真、优化设计方案,并提前识别和应对潜在制造难题。
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在本次IBM与西门子合作公告发布的前一天,也就是10月13日,IBM研究院披露,计划于2027年第一季度对外提供面向7埃纳米堆叠技术的早期研发版工艺设计套件(PDK),供产业链相关机构提前评估该架构特性。IBM强调,该早期版本不包含商用成熟PDK具备的全部器件模型与完整设计规则。因此,这项计划仅属于研发阶段配套准备工作,不代表纳米堆叠架构已经达到量产标准。
通过整合IBM在半导体器件研发的技术积累与西门子在EDA软件、工艺仿真等领域的专业能力,双方旨在缩短技术研发周期,逐步夯实纳米堆叠架构迈向规模化生产所需的设计与制造基础。目前,双方公布的工作重心仍集中在架构研发、虚拟仿真、光刻工艺攻关及量产前置准备,尚未公布该技术进入商业量产的明确时间表。
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总体来看,IBM与西门子的合作,标志着纳米堆叠技术从架构验证向设计优化与制造准备进一步推进。随着晶体管微缩逐渐逼近物理极限,三维堆叠有望成为延续芯片性能提升的重要方向。不过,该技术能否突破制造工艺、设计复杂度与成本等瓶颈,最终实现规模化量产,仍有待后续研发与产业验证。
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