凌存科技：做的从来不止一颗电容

风口之下，从器件比拼走向系统能力竞争。

过去两年，AI算力爆发带动先进CoWoS、CPO、Chiplet等封装落地，硅电容市场热度抬升，国内涌现出一批参与者。

但多数厂商仍停留在“定规格、磨物料”的传统逻辑。在复杂系统中，单靠单颗器件参数，已难以解决电源完整性问题。

规格书只是入场券，更现实的矛盾在于：规格书达标，装进系统后仍可能因瞬态、温漂等偏离预期。竞争正从“单点参数”转向“系统协同交付”。

在众多厂商中，凌存科技的差异化体现在拥有一套完整逻辑。本文从产业现实出发，梳理其与多数玩家的区别，也客观看待创业企业的阶段与不确定性。

一、行业现状：陶瓷路线的三重边界

如果把一台8卡AI服务器拆开，按元器件数量排序，排第一的既不是芯片，也不是连接器，而是电容。单台服务器MLCC（叠层陶瓷电容）用量以千颗计，业界对新一代AI机架的测算是十万颗量级。一个长期被视为"论斤卖"的被动元件，正在成为最先进计算系统的架构约束。要理解这场替代的逻辑，首先要客观看待 MLCC 的边界。

需要先说明的是，MLCC 仍是绝大多数电子系统的主力电容方案：成本成熟、容量密度高、供应链规模大，这些优势难以被快速替代。但在 AI 算力定义的新场景下，它明确存在着三重边界：

1.1 寄生参数

MLCC 的叠层结构决定了它在 GHz 频段存在 nH 级等效串联电感（ESL）与不可忽略的等效串联电阻（ESR），而对 1.6T+ 光模块和 AI 算力芯片来说，电源与信号完整性恰恰是最不能妥协的指标。

1.2 极限厚度

陶瓷烧结工艺的极限厚度约 100μm，意味着 MLCC 大多只能贴装在 PCB 表层，而 CPO/NPO 架构和 AI 芯片封装内部的空间预算以微米计算，MLCC 在物理上较难进入未来算力核心位置。

1.3 供给结构

从钛酸钡粉体、带式炉到浆料配方，MLCC 全链条高度集中于少数日系厂商，行业前五大合计份额约七至八成，AI 服务器超周期下，通用型号交期一度拉长到 20 周以上。这一重属于产业结构边界，但它与前两重叠加，说明陶瓷路线在部分高密度、高频、近封装场景中或已接近能力边界。

而硅电容的解法，是在硅衬底上用半导体工艺制备电容：光刻定义结构、深硅刻蚀挖出深沟槽、原子层沉积（ALD）生长介质、薄膜金属化形成电极，由此带来量级性的工程差异。

数据来源：凌存科技

需要强调，硅电容不是“MLCC 终结者”，其单位成本目前仍明显偏高，无法渗透成本敏感场景；它的真实位置，是补上 MLCC 物理上做不到的那一段：GHz 以上宽带去耦、封装内近点供电、超薄集成。这是一场“结构性替代”，不是全面替换；但恰恰是这段“补位”，卡在了 AI 算力最要害的三个位置：高速光模块的信号完整性、AI 芯片封装内的供电网络、Chiplet 异构互联的物理底座。

二、跨过“量产门槛”：关键技术与产品路径

硅电容行业普遍存在“样品好看、量产难”的问题。实验室指标亮眼，不等于能导入客户项目。真正的门槛有三道：完整料号矩阵、量产工况下指标稳定复现、成熟晶圆制造平台支撑批量供货。凌存的产品与技术路径，主要围绕这三道门槛展开。

2.1 产品端：凌存已形成硅电容和Interposer两大产品矩阵：

• 硅电容矩阵

硅电容端已有200余款料号，覆盖三大场景：

UB/UBA系列

HD系列

VE/DVE系列

• UB/UBA超宽频系列瞄准高速光模块高频场景
• HD高容系列解决SoC/CPU/GPU的PDN去耦
• VE/DVE垂直系列面向低速光模块与射频，推进SLCC国产化替代
• Interposer矩阵

凌存科技将硅电容嵌入LSI（局部硅互联）+interposer（硅中介层）中，分别瞄准CoWoS-L和CoWoS-S两大应用场景，从无源集成到高密度互连，再到中介层整体方案，逐级加深技术难度：

• LSI（硅桥）
• Interposer（中介层）

2.2 性能端：多项关键指标业内领先：

• UB系列实现国内110GHz+硅电容量产，110GHz下S21优于0.5dB
• HD系列容值密度达3500nF/mm²，国内容值密度最高。ESR小于0.9mΩ-mm²、ESL小于0.5pH-mm²
• 硅片厚度55–775μm可调，适配CoWoS、CPO狭小封装空间

关键在于，这些指标可在量产中复现，而非仅存在于实验室最优条件。

2.3 制造端：凌存有不可复制的工艺能力：

• 采用12英寸CMOS工艺平台
• 国内唯一VIC+DTC双工艺平台量产企业

2022年完成12英寸工艺国内转移并启动研发，2024年多款产品完成风险量产，2025年拓展至两大产品系列，走完“工艺转移—研发迭代—风险试产—规模化输出”链路。相比仍处送样、小样阶段的同行，凌存已完成从技术原型向商业化产品的跨越；依托硅电容和interposer 两大产品矩阵。

三、企业定位：跳出纯元器件供货，提供系统方案

行业绝大多数硅电容供应商模式标准化：客户输出器件规格，厂商按规格生产交付，合作边界止于器件交货。

而在 GPU、高速光模块、Chiplet 真实项目中，客户的真实诉求，并不只是采购一颗高性能电容。硅电容在系统中的实际表现，受基板布线、互连路径、封装结构、高频寄生多重因素影响。即便器件本身参数优秀，如果和系统设计不匹配，依旧发挥不出去耦价值，客户真正需要解决的，往往是整套电源、信号完整性的系统性问题。这就要求厂商不能只懂器件，还要懂芯片系统、高频电路与先进封装工艺。

凌存将自身定位为芯片设计公司，而非传统元器件厂商，搭建仿真设计制造一体化平台，具备电源完整性、信号完整性、PDN 电源网络分析、射频电路设计、高频测试、封装可靠性评估全链条能力。

反映在合作模式上，除器件定制与供货之外，企业可以更早介入客户项目前期，依托系统仿真完成需求拆解，输出器件选型、布局布线优化建议，必要时输出基板设计参考在内的整套 SI/PI 方案。把服务从后端物料交付，向前延伸到前端系统设计，帮助客户把器件纸面性能转化为系统层面实际收益，这是很多无源器件厂商并不具备的能力。

四、技术底色：并非跟风，存储技术积累的迁移延伸

国内不少硅电容厂商业务原点就是被动元器件赛道。而凌存布局硅电容，不是追逐风口从零跨界，而是原有先进存储底层技术积累的能力迁移。

公司成立之初，核心研发方向为 VCMRAM（MeRAM）电压调控磁性存储器，以及基于存储架构的真随机数安全芯片。团队技术溯源可追溯至 2012 年 VCMA 效应进入 MRAM 领域的前沿研究，前期与华为、IMEC 开展项目合作，完成多款存储原型芯片流片验证。2022 年依托器件工艺储备拓展硅电容业务；2024 年参与 ISSCC 大会，研判 CoWoSL、CPO 产业趋势，确立研发集成嵌入式硅电容的硅中介层技术路线。

存储芯片与硅电容看似分属不同赛道，底层两大核心能力高度同源。

第一，MIM 薄膜堆叠与纳米级工艺管控。VCMRAM 核心单元磁隧道结，本身就是 “金属绝缘层金属”MIM 堆叠结构。开发存储器件，要求原子级薄膜堆叠、纳米尺度膜厚精准控制，同时平衡漏电流、可靠性等多维度矛盾。这套材料、薄膜沉积、工艺管控经验，正是高性能 MIM 硅电容的制造根基。

第二，高频高速系统设计能力。VCMRAM 对标 SRAM 高速缓存，团队长期深耕高频读写电路、高速互连架构，相关高频设计、测试表征经验，可直接复用至超宽频硅电容、硅中介层开发，应对百 GHz 高频工程挑战。

2026 年 9 月，基于 40nm CMOS 工艺研制 96kb VCMRAM 芯片，实现亚纳秒概率翻转伊辛机，单芯片集成近 96000 枚 70nm 磁隧道结。该科研成果侧面印证团队纳米级精密器件的工艺功底，做硅基无源器件属于能力平移，而非从零摸索。布局硅电容之后，存储方向研发并未停止，持续探索存储与 AI 芯片融合，和多家企业、科研机构保持合作，两条业务线技术可以互相反哺。

五、中长期路线：走 “存储 + Interposer + 硅电容” 融合路径

放眼全球竞争，国内多数同行聚焦分立硅电容迭代销售；海外标杆 Empower 选择 “电源方案 + 硅电容” 路线。依托自身存储技术背景，凌存选择面向异构集成的差异化路径，推动先进存储技术、Interposer、硅电容三者深度融合。

短期，持续迭代分立硅电容，满足当下光模块、AI 芯片分立器件采购需求；中长期锚定 CoWoSL、CPO、Chiplet 下一代先进封装方向，重点研发集成嵌入式硅电容的硅中介层，将去耦电容集成到中介层内部，缩短供电回路，从根源改善 PDN 性能。

多数企业研发边界局限在分立器件，凌存将研发拓展至中介层互连、电源集成的系统层面。长期目标不止输出一颗颗独立器件，而是面向异构封装提供电源互连一体化整套方案，把竞争从单一器件参数比拼提升到系统架构层面，构建长期技术壁垒。

六、行业视角：热潮之下，保持务实理性的竞争心态

今年硅电容赛道热度陡增，缘起上半年两件行业大事：ADI收购Empower，以及三星电机拿下海外大厂的硅电容大额订单，市场随之迅速升温。

回想2024年，凌存科技向市场推介硅电容业务时，市场反响却相当冷淡，不少观点认为赛道空间有限，并不看好这条路线。短短两年时间，行业境遇已是“恍如隔世”。凌存能够早在2022年就完成硅电容的前瞻布局，根源在于团队对AI计算芯片、存储架构发展趋势的深度研判——认知，最终决定了产品方向与场景选择。

行业火热背后，也裹挟着一股浮躁之气：部分声音刻意渲染对立，把技术比拼简化为情绪叙事。对芯片设计企业而言，产品往往要历经漫长的客户认证周期才能落地，靠情绪博来的只是短期流量，长远来看只会变成企业发展的包袱。

谈及行业竞争，凌存科技CEO吴迪在访谈中曾这样表述："凌存的产品谱系比较完整，从完整解决方案的角度看，我们没有直接的竞争对手，仅在部分单品上存在竞争。更重要的是持续向头部厂商学习工艺与技术积累，各家在自己的细分赛道做到极致。"

这句话，折射出行业里难得的清醒。承认先发企业在标准定义上的优势，把标杆当作学习的对象而非攻击的靶子，专注把自身细分领域做到最好。

站在行业观察的视角，这份心态和它的产品策略高度自洽。凌存没有把战场设在单一器件的参数对标上，而是多年来坚持打磨四大产品系列叠加硅中介层的完整矩阵，在每一个产品系列里做到了极致的深耕。目前，这一完整布局不仅已被市场高度接受，也引来了诸多同行的效仿与借鉴。凌存科技从来不只是一家元器件公司，而是一家基于硅电容与中介层为客户一站式解决问题的方案商。

七 、结语：交叉点上的位置

回到本文的核心判断：硅电容真正的产业价值，并不在于替代多少MLCC，而是它恰好落在三大需求的交汇之处——高频信号完整性、高容值密度供电、异构封装互联，而这三大需求都正在被AI算力持续放大。

站在这个交叉点上回看，凌存科技想要站稳的位置是清晰的：以存储研发阶段沉淀下来的极限工艺能力作为性能底座，以对芯片设计的深度理解打磨产品极限性能；以硅电容丰富料号覆盖广阔客户场景，再借由硅中介层，把单纯的器件生意升级为系统级解决方案。从这个角度来讲，"没有真正的竞争对手"并非一句营销口号，而是基于赛道定位与认知差异得出的客观观察。

凌存科技CEO吴迪博士对当下AI产业有着这样的判断："封装决定系统，互联决定带宽，场景定义产品，我们要做的，就是把产品更好地融入这三者之中。"

期望凌存科技在未来能持续突破技术边界，与国内半导体产业链生态协同发力，共同迎接属于中国底层器件的“黄金时代”。

本文数据来源：凌存科技官网及公开产品资料、村田制作所官方技术文档、台积电IEDM公开论文、三星电机与力积电公开报道、ADI官方公告、企查查、讯石光通讯网、36氪、北京航空航天大学集成电路科学与工程学院官方发布（Nature Electronics论文成果）、Dataintelo/IDTechEx等第三方研究。所有企业参数均为公开口径，未做独立实测验证。

声明：本文系独立行业观察，与文中涉及企业无商业合作关系。