外媒给中国芯片出主意：要一边使用国外技术，一边发展自主技术

前沿导读

据新加坡媒体《联合早报》发布的专栏新闻指出，未来的ai发展需要更大规模的算力投入，而中国半导体产业在基础的芯片上面存在困境，这是需要直面的问题。中国半导体应该实行双轨并行的策略，一方面积极通过合法渠道与国外企业展开合作，另一方面要加速自主技术的发展，构建出一条可信任的替代选项，二者缺一不可。

双轨发展

从概念上来说，一边与国外企业建立合作、共同发展产业，一边储备力量开发自主可控的技术产业链，这二者并不矛盾。

华为就是一个典型的例子，华为此前是高度融入全球化发展的企业，无论是人才培养还是实际产品，都有国外体系的支撑。但是华为内部有危机感，提前预想到了可能会有被断供技术的情况，所以在内部孵化了以自主可控为导向的“备胎”计划，这一点在何庭波多年前发布的信件当中有所说明。

芯片和软件系统是运转一切科技产品的基石，切断了芯片供应和软件体系的授权，基本就相当于切断了继续发展科技的机会，而中国半导体产业较为薄弱的地方恰恰就是芯片和软件系统。

deep seek的出现，让国际层面看到了中国企业在技术优化上面的实力，一家中国初创的ai企业可以用相对较低的成本训练出比肩美国GPT水平的大模型，这是让国际层面感到震撼的节点。

deep seek的成功固然可喜可贺，但deep seek最初的大模型训练，在底层芯片上采用的是此前购买的英伟达芯片，软件生态依赖于英伟达的CUDA。

如今deep seek已经官宣，最新的V4大模型基于华为昇腾芯片实现全栈适配，从英伟达的CUDA生态转向华为的CANN框架。这是一次国产技术的强强联合，也是一次脱离海外技术生态的初步尝试。

采用英伟达芯片、在英伟达技术生态下训练ai，deep seek所采用的思路是算法效率。通过混合专家架构、多头潜在注意力机制等技术创新，显著降低训练和推理的算力需求，这彰显的是中国企业在发展策略上面探索出来的差异化竞争路线。

在国外成熟生态的加持，中国企业可以尝试不同的技术路径。路径走通后，再与国内相关企业合作，基于国产技术生态发展ai，最大化提升技术水平和自主可控性。

在自主生态尚未成熟、尚未能承载前沿研发重任之前，通过合规渠道获取国际技术的支持，采用国外的芯片发展技术，旨在为国内产业争取重要的时间窗口，以确保研发不被孤立，能持续对标国际前沿。

追逐战

目前国际巨头均已经开始先进制程的军备竞赛，台积电依靠深厚的技术底蕴持续打磨第一代EUV光刻机，使用第一代EUV光刻机制造1.4nm节点的先进芯片。英特尔、三星则是直接采购第二代EUV，试图使用顶级设备制造1.4nm芯片来缩短与台积电的技术差距，甚至是反超台积电。

而中国大陆地区，自始至终都没能获得2018年采购那台EUV光刻机，被卡在了采用DUV光刻机制造7nm芯片的节点。

先进芯片制造极度依赖全球化合作，ASML的曝光设备、日本的材料、美国的刻蚀、沉积、离子注入设备，几乎每一个环节都依赖于西方技术主导的生态圈。中国企业在7nm尖端制程上的突破，更多是依赖此前购买的存量设备以及行业内成本较高的制造技术，并非真正意义上的独立制造能力。

华为提出了韬定律以及逻辑折叠技术，在最基础的设计层面动手将电路进行堆叠式设计，在不依赖EUV的情况下提升芯片性能，缓解因缺少制造设备而造成的产品性能羸弱。预计2031年将核心频率提升至5GHz，晶体管密度提升至400 MTr/mm²以上，等效1.4nm工艺。

尽管华为对于逻辑折叠技术的麒麟芯片已经进行了目标规划，但是台积电、三星等厂商并不会原地踏步等着竞争对手追赶。

台积电在官网上已经发布了未来规划：2027年量产A16（1.6nm）工艺，2028年量产A14（1.4nm）工艺。

三星则是紧追台积电：现阶段深耕2nm芯片，预计2029年推出1.4nm工艺，目标在2030年完成1nm研发，2031年直接量产1nm工艺。

在没有解决EUV难题的情况下，尽管华为采用了全新技术来提升芯片性能和工艺，但是与国际水平相比仍然处于追逐的状态。

这是一种在先进设备领域的硬件差距，仅靠用设计进行弥补是不够的，更何况还涉及到散热、能效、产业生态等多个领域的技术问题。解决先进设备的供应问题，依然是中国半导体产业未来重点推进的项目。