广东
据Wccftech报道，长鑫存储（CXMT）已经在DRAM晶体管中导入了高K金属栅极（HKMG）技术，缓解了制程微缩带来的漏电问题，消除了最大的技术瓶颈，为推向更先进的1αnm DRAM制程节点又迈出了一大步。长鑫存储采用了二氧化铪（HfO₂）等材料，替代了传统的硅基绝缘层，另外还以定制化金属栅极堆叠取代传统多晶硅栅极，提升了器件效率。
1α（1-alpha）属于第四代10nm级别DRAM工艺，SK海力士和美光等DRAM芯片制造商大概在2022年前后引入，先后用于制造DDR4/5和LPDDR4(X)/5(X)等产品。传闻长鑫存储可能很快从1znm DRAM转向1αnm DRAM工艺，预计率先用于LPDDR5X和HBM3产品。
为了应对长鑫存储的威胁，三大原厂正在加速转向下一代10nm以下级别的DRAM工艺，另外还关注4F²单元结构和3D DRAM技术。
除了推动新一代DRAM制造技术的研发外，长鑫存储还在积极扩张产能。按照之前的说法，预计到2026年末，长鑫存储的产能就将提升至每月30万至35万片晶圆。与此同时，长鑫存储在合肥和上海都有新的晶圆厂在兴建当中，全面投产后，每月产能将提升至60万片晶圆。预计2026年至2031年的五年时间里，长鑫存储的产能将每年的月产能将增加大概10万片晶圆，最终在2031年达到约每月80万片晶圆，预计在2030年之前就能超过美光。
另外有消息称，长鑫存储还将划出每月5万片晶圆的产能，专门用于生产HBM产品。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
