Intel：高NA EUV光刻机已投入大规模量产！全新晶圆厂2年后投产

Intel官方宣布了先进制造的一系列突破性进展：

位于亚利桑那州的Fab 62晶圆厂将在2028年底投产；

位于俄勒冈州的D1X研发工厂已经将高NA EUV光刻机投入大规模量产；

位于俄亥俄州的Ohio One制造综合体已经吊装第一根大型主桁架；

位于加州的光掩模工厂已经开工。

Intel骄傲地宣称，这都是美国技术、美国制造的胜利！

据芯硬件了解，亚利桑那州凤凰城的奥科蒂洛园区(Ocotillo Campus)，一直是Intel的核心生产基地之一，拥有的晶圆工厂是Intel全球制造基地中最多的，一共多达六座，分别是Fab 12、22、32、42、52、62（都以2结尾）。

其中，最新的Fab 52/62都是Intel IDM 2.0战略和持续扩张计划的一部分，相关投资达320亿美元，规划之初都计划用于Intel最新工艺，包括20A 2nm级、18A 1.8nm级。

后来，20A节点被取消，Fab 52专门用于量产18A，Panther Lake三代酷睿Ultra、Wildcat Lake三代酷睿和下代至强Granite Rapids都出自这里。

Fab 62此前已完成厂房主体结构封顶，现在已经正式启动生产设备进场安装工作，官方计划2028年底前投产。

但是，Fab 62的大规模量产时间未定，也一直没有指定工艺节点，理论上18A、14A都可以。

具体如何选择，肯定要看后续情况：如果A18需求旺盛，就作为产能扩充；如果18A需求可以满足，14A又进展顺利（比如有大客户订单），就直接上14A。

Intel是全球首家安装部署高NA EUV光刻机的芯片厂商，就放在俄勒冈州希尔斯伯勒的D1X工厂——这里的工厂都是研发为主，方便Intel吃透新设备的全部特性。

目前，Intel已经把高NA EUV光刻机设备导入大规模量产，用于生产Panther Lake等芯片。

位于俄勒冈州罗恩勒阿克雷斯的戈登·摩尔园区（Gordon Moore Park），是Intel的前沿工艺研发地点，也是新一代处理器首发量产的基地。

目前来看，高NA EUV光刻机生产的电路，和低NA EUV光刻机生产的规格一致，还没有显现出压倒性的优势，当然后续潜力很深，需要慢慢挖掘。

芯硬件注：

NA的意思是数值孔径（Numerical Aperture），是衡量光刻机投影镜头聚光能力、分辨精细度的核心指标，数值越高，能刻出的电路线宽就越细。

高/低NA EUV光刻机都使用13.5nm极紫外光源，但是前者采用非均匀变形光学设计（横向4倍缩小、纵向8倍缩小），NA数值从0.33提高到0.55，单次曝光分辨率从约13nm提高到约8nm，晶体管密度理论上可提升最多近2倍，能够生产2nm、1.4nm及以下工艺节点，而且只需单曝光即可。

当然，高NA EUV光刻机的成本也高得多，据称每台需要3-4亿美元，低NA的则是1.5亿美元左右。

据悉，Intel是高NA EUV光刻机的先行者，首批采购2~3台，全部投入俄勒冈研发工厂，预计到2028年可累计采购10台甚至更多。

台积电则是最大客户，累计采购至少15台，分批次交付，N2、N2P、A14工艺都要用。

三星节奏最慢、规模最小，首批采购4-6台，初次用于2GAP 2nm级，后续的1.4nm级也会用。

当然，无论是谁，高NA EUV都并非一开始就在芯片的所有层都使用，一般初期仅用于栅极、金属层等最关键的精细图层，其余图层仍由低NA EUV或者ArF光刻完成，用于平衡精度与成本。

在俄亥俄州纽奥尔巴尼的Ohio One制造综合体，Intel完成了第一座晶圆厂第一根大型主桁架的吊装，是该项目的重大建设节点。

Ohio One项目是Intel长期制造与代工战略的重要一环，用于在美国本土持续扩充先进工艺芯片的产能。

不过，Intel没有更新Ohio One的建设进度时间表，也没有公布第一座晶圆厂的投产时间、投产工艺节点、规划产能。

除了先进的制造工艺和产能，Intel还在美国本土持续加码先进封装技术的研发：

俄勒冈工厂是先进逻辑、3D互连技术的核心研发中心；

亚利桑那工厂负责先进封装研发、封测业务；

新墨西哥工厂基于先进封装工艺，量产复杂的多芯粒处理器，包括EMIB、EMIB-T、Foveros。

另外，Intel近期正在加州圣克拉拉新建一座EUV光掩模工厂，不再完全依赖外包。

光掩模（Photomask），又称掩膜版，可以视为光刻机的“底片”，用它把电路图案投影、复刻到晶圆上面，传统ArF光刻用的是透射式掩模，EUV光刻则需要反射式掩模。

该工厂是Intel美国本土供应链的重要一环，将使Intel将成为美国唯一一家从前沿工艺研发到芯片制造全部环节落地在美国本土的芯片厂商。

当然，Intel依旧高度依赖欧洲的设备、日本的材料，但整体而言，Intel在这条赛道上依旧领先。

相比之下，三星、台积电都没有在美国开展前沿工艺研究、建设光掩模工厂的计划，三星还放弃了在德州建设先进封装厂的计划。

Intel还披露，为了加强本土供应链，相关业务合作已经覆盖49个州、4500多家供应商，每年在美国本土的采购支出超过290亿美元。

Intel强调，维持半导体技术的美国领先，需要的不只是建设晶圆产线，还要工艺研发、先进封装，以及熟练技术工人的培养、完整的配套供应链。

Intel最后放出豪言：“美国已经准备好了！”（America is ready to build it.）

半导体行业协会（SIA）数据的显示，从1990到2022年，美国本土芯片制造在全球的比例从37%大幅下滑至仅仅10%。