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10月29日消息，三星电子举行了 2026Q3 财报电话会议。会上该企业高管表示，其2027年的HBM产能已按既定目标价格售罄，而2028年的整体 DRAM内存供应将维持紧张。
三星电子在2026Q3的DRAM和NAND出货容量均上涨个位数百分点，ASP 则分别增长 20% 和近 10%；企业预计 2026Q4 的 DRAM 出货容量将增长 15~20%，NAND 则增长 15% 左右。存储半导体市场整体仍供小于求，高管特别提到收到了大量 QLC 需求。
三星存储器业务已与 10 家客户签署 LTA，正与另外 10 家就多年期合同进行洽谈。随着对这一协议形式感兴趣的用户扩展到移动、汽车、网络领域，三星正稳步推进通过多年期合同锁定 60~70% 产出的计划。客户对滚动续签的需求远超预计，有些客户希望在协议期内追加供应。
在 HBM 方面，三星电子已提前实现细分市占齐平整体 DRAM 市占的目标。其 HBM4 销售额在 Q3 环比增长超 3 倍，已占到 HBM 总营收的 60%。
此外，三星晶圆代工计划加大对韩美晶圆厂的投资，希望同步建设先进封装产能，正就建设更多晶圆厂在内的扩展计划进行评估。该业务预计 8nm 以下节点的产能利用率将突破 100%
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