北京
2026年磷化铟有效产能和需求缺口或将突破70%，而新增产能需要2至3年才能投产。
随着人工智能推动通信向800G、1.6T等高速传输技术演进，硅光在高速光通信领域愈发主流，吸引行业巨头纷纷投资。这股增长浪潮也将供给压力进一步向上游传导至磷化铟（InP）材料。集邦咨询估算，2026年磷化铟有效产能与需求之间的缺口或将超过70%，在全球光通信行业掀起新一轮战略性资源争夺。
集邦咨询分析师Kiwi Hsu表示，光通信行业正从传统光器件制造，转向基于半导体的集成方案。硅光可以将光器件集成在单个裸片上，并采用兼容CMOS的半导体工艺生产，在量产规模与供应链产能方面具备优势。
但硅光渗透率提升，也会大幅拉高磷化铟需求。这促使国际大厂通过股权投资、收购等方式锁定上游产能。2026年有效产能和需求缺口或将突破70%，而新增产能需要2至3年才能投产。
集邦咨询测算，全球可插拔光模块市场规模预计从2025年的126亿美元增长至2030年的454亿美元。市场重心将从400G转向800G，1.6T产品预计2026年起放量出货，3.2T产品则会在2028年后跟进。
EML的局限加速硅光落地
电吸收调制激光器（EML）将激光器与电吸收调制器集成在同一块磷化铟裸片上。不过，当单通道传输速率提升至200G及以上时，传统电吸收调制激光器方案正逼近物理极限与良率瓶颈。
传统8通道1.6T方案最多需要8个电吸收调制激光器、8片透镜以及8个光电探测器（PD），导致架构愈发复杂，良率下降。单片裸片成本甚至会上涨3至4倍。全球仅有少数厂商能够量产200G电吸收调制激光器，交付周期已经排到2027年。
与之相比，硅光采用光子集成芯片（PIC），把调制器和光电探测器集成在单颗裸片上，使用兼容CMOS的半导体工艺制造。整套方案仅需2至4个外部连续波（CW）激光器作为光源，大幅降低光学组装与对准难度。
硅光在800G时代逐步成为主流，预计在1.6T及更下一代产品中得到广泛应用。因此，可插拔硅光模块仍将是未来光通信系统的核心架构。
英伟达宣布其Spectrum-X以太网光子平台现已投产，把基于共封装光学（CPO）的交换方案带入量产，用于横向扩展与跨集群架构。不过在纵向扩容网络中，共封装光学技术的大规模落地尚不成熟。
主要阻碍包括：行业尚未形成统一标准，封装架构难以达成共识，光纤阵列单元（FAU）高密度可拆卸连接的技术难题仍未解决。
与此同时，行业正在采用线性可插拔光器件（LPO）与线性接收光器件（LRO）这类半重定时架构，降低数字信号处理器（DSP）功耗，让可插拔光模块的产品生命周期再多延续一代。
磷化铟成为战略瓶颈
尽管硅光优势显著，但硅光模块配套使用的连续波激光器光源仍依赖磷化铟材料。硅光出货量快速增长，带动磷化铟衬底需求急剧攀升。
全球大约90% 的磷化铟衬底产能集中在三家供应商：住友电工（Sumitomo Electric Industries）、AXT以及JX Advanced Metals Corporation。
整体产能受限，叠加地缘压力加剧，磷化铟衬底已经从普通原材料转变为云服务商和系统厂商的战略瓶颈。
谈及磷化铟与连续波激光器产能紧张问题，Hsu表示行业扩产周期需要2至3年，当前交付周期已达到30–58周。仅靠下订单已经无法保障供货，各大企业只能通过股权投资、收购等方式锁定产能。
中国台湾供应链也在抢抓增长机遇。由台积电和日月光发起的SEMI硅光产业联盟，目前已有超过110家行业成员，包括联发科、富士康等企业。
台积电正在推进COUPE技术，基于衬底的COUPE共封装光学方案将于2026年投产；联电则在加码薄膜铌酸锂（TFLN）技术布局。但中国台湾供应链在磷化铟衬底、可插拔模块用硅光光子集成芯片等环节仍存在短板。
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